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维普资讯
第 27卷 第 2期 电 子 显 微 学 报 Vo1．27，No．2
2008年 4月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2008．04
文章编号 ：1000．6281(20o8)02．0102．06
非晶SiO2纳米线的合成及其显微结构
和光学性质的研究
秦 艳 ，张晓娜 ，郑 坤 ，韩晓东 ，张 泽
‘
分析结果表 明这些纳米线为非晶SiO 纳米线。光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长 550nm处存在一个较
随着微纳米技术 的发展和集成光学技术 的进 可控的高温炉 中进行 ，具体实验装置可参考文献
步，合成纳米尺度的发光材料以满足纳米光电子器 [15]。取0．4g的SiO粉末作为蒸发源放人AIO，坩
件的需要变得尤为重要 。从 Canham…观测 到多孔 埚内。选用 Si片做衬底， 将硅片倾斜放人坩埚 内，
硅的发光现象以来 ，多孔硅 、硅纳米线 、氧化硅纳米 再将坩埚置于石墨加热体上。 实验过程 中，对反应
线及 非晶 Si／SiO 薄膜等 硅基材料 的光致发光 腔抽真 空到 10Pa左右
， 然后充人 Ar气至 0．27×
性质得到广泛 的研究。其中氧化硅纳米线作为一种 10Pa， 加热时保持稳定的温度增长速率 ，温度升高
光致荧光材料，在高分辨近场光学扫描显微镜 、低维 到约 950~C
， 保温 15mi。当反应完成 自然冷却到
度的光婆导、纳米光电子器件等方面具有潜在的应 室温后，在衬底及坩埚内壁上沉积了大量白色絮状
用价值 。 物
。
怠胶 笺 ．．， 利用场发射高分辨扫描电镜(SEM)JEoL6500F
法等 一 =7 气相合 型在5l 积 貌；用
。 Wu等 ¨加热 si()2和活性炭在1350oC得 一 … ～ 。 … ～ 、
到了直径分布在 60nm～10nm的非晶 SiO，纳米 透射电子显微镜 (TEM)JEoL2010型及 JEOL2010F
线 ，并研究了纳米线的发光特性 ；Zh 等…加热石英 型在 200kV的操作电压下对沉积物的显微结构进
片上的SiC和 CO粉末 ，在 1500％制得 了氧化硅纳 行了表征 ；利用 TEM上
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