铜基电子封装材料研究进展.pdfVIP

第 30卷 第 6期 临沂师 范 学 院学报 2008年 12月 V0I．30 NO．6 JournalofLinyiNormalUniversity Dec．2008 铜基 电子封装材料研究进展 王常春 ，朱世忠2，孟令江 (1．临沂师范学院 物理系 ，山东 临沂 276005；2．山东医学高等专科学校，山东 临沂 276002 3．临沂市高新技术开发区罗西街道办事处，山东 临沂 276014) 摘 要：介绍了国内外铜基 电子封装材料的研究现状及最新发展动态，指 出了目前我国新型铜基 电 子封装材料研究中所存在的问题及进一步完善的措施，预测 了电子封装用铜基复合材料的发展趋势和应 用前景．未来的铜基 电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展． 关键词：电子封装；铜基复合材料；热导率；热膨胀系数 中图分类号：TG148 文献标识码：A 文章编号：1009—6051(2008)06—0043—05 0引言 随着信息化时代的迅速发展，对现代 电子元器件集成度和运行速度的要求越来越高，相应功耗 也越来越大，这必然会导致 电路发热量的提高，从而使工作温度不断上升 [1-41．一般来说，在半导体 器件中，温度每升高 18℃，失效的可能性就增加2-3倍 [51．另外，温度分布不均匀也会使电子元器 件的噪音大大增加 ．为解决这些 问题，开发低成本、低膨胀、高导热、易加工、可靠性高的电子封装 材料 已成为当务之急 6[,71． 传统的电子封装材料 (见表 1l8】)由于具有一些不可避免的问题，只能部分满足 电子封装的发展 要求．Invar、Kovar的加工性能 良好，具有较低 的热膨胀系数，但导热性能很差；Mo和w 的热膨胀系 数较低，导热性能远高于 Invar和Kovar，而且强度和硬度很高，所以，Mo和w 在电力半导体行业中 得到了普遍的应用．但是，Mo和w价格昂贵、加工困难、可焊性差 、密度大，而且导热性能比纯 cu 表 1 常用封装材料的性能指标 8【 收稿 日期：2008—10—09 作者简介：王常春 (1974_)，男，山东沂南人，临沂师范学院副教授，博士．研究方向：金属基复合材料 临沂 师 范 学 院学 报 第 30卷 要低得多，这就阻碍了其进一步应用．cu和A1的导热导电性能很好，可是热膨胀系数过大，容易产 生热应力 问题 ．金属基复合材料 (MMCs)兼备金属易加工、高导热、高导电的性能以及增强体轻质、 低膨胀的性能，同时它还具有 良好的尺寸稳定性、高的耐磨性和耐腐蚀性及性能的可设计性 I9．“】．这 一 系列优点使它成为替代传统 电子封装材料的最佳选择 ． 到 目前为止，颗粒及纤维增强铝基复合材料 已在 电子封装材料领域得到了广泛应用，其材料制 备及加工工艺已日臻成熟，铝基复合材料产品的使用开发及理论研究也逐渐深入．然而，与铝基复 合材料相比，有关铜基复合材料的理论研究与开发应用尚不成熟，迫切需要进行更多的探索和研究． 铜基复合材料具有与铝基复合材料相似 的性能，如优 良的物理和力学性能以及适 中的价格，可 以作 为导电、导热功能材料用于航空航天、微 电子等领域 ．而且 由于 cu的热膨胀系数 比A1低 ，但导热率 比Al高，因此选用 cu代替AI制备的铜基复合材料将是极具竞争力的候选材料之一．目前，高强度 导 电铜基复合材料在美 国、日本、德国等发达 国家开发研究异常活跃，并在某些方面取得突破性进 展；我 国也把 目光投 向铜基复合材料，并对其物理和力学性能进行了逐步的探索和研究． 1铜基 电子封装材料的研究现状 1．1颗粒增强型铜基 电子封装材料 颗粒增强型铜基复合材料所用的增强相粒子主要有W、Mo、SiCp等低膨胀系数粒子 ．在常规的 颗粒增强型结构复合材料 中，增强相的体积分数一般都很小，而对于电子封装用颗粒增强铜基复合 材料而言，由于 cu本身的热膨胀系数较大，为了能够与 Si、GaAs等芯片的基体相匹配，需要加入大 量的低膨胀颗粒，才