CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析.pdfVIP

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维普资讯 第4卷.第6期 电 子 与 封 装 总第20期 Vol 4.NO 6 ELECTRONICS PACKAGING 2O04年 11月 电 路 设 计 CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析 赵胜华 陈建安 (西安电子科技大学电子工程学院,陕西 西安 710071) 摘 要:本文讨论在CMOS集成电路设计中,常用到的三种振荡器,计算它们的振荡周期,并 对电路进行了仿真及性能分析。 关键词: 多谐振荡器;环形振荡器;RC振荡器;电压控制的振荡器 中图分类号:TN752 文献标识码:A 文章编号:1681—1070(2004)06—33—03 TheDesignandFeaturesofOscillatorinCMOSIC ZhaoSheng-huaChenJian——an (Dept.Elec.Engineer..XidianUniv..Xi’an 710071。China) Abstract: ThemethodofthreeoscillatorsinCMOSIC isdiscussedinthispaperInaddition,thispaper . dealswiththeperiodofthemThefeaturesofthesecircuitsareanalyzedbysimulation . . Keywords:Multi—vibrators Ringoscillator RCoscillator Voltage—controlledoscillator(VCO) 环形振荡器是一种简单而又重要的时钟产生电 1 引言 路 ,已被广泛应用在实际的电路系统中。 2.1 环形振荡器原理 在集成电路中,常需要时钟信号源。多谐振荡器 奇数个反相器首尾相连形成一个环路 ,是环形 不需外加触发信号,只要接通电源就能产生一定频率 振荡器最基本的形式。 由于电路没有稳定的工作点, 和脉宽的矩形波或方波信号。由于多谐振荡器易于集 因此形成振荡。反相器的传输延时为 ,输出由低到 成,常作为片内时钟信号源使用。 高的传输延迟为fn,输出由高到底的传输延迟为 CMOS集成电路由于功耗低、稳定性高、体积 f n, 上升时间为t,,下降时间为tf。振荡成立的条 小、成本低以及可以适应较宽的温度和电源电压等一 件是2Ntptf+tr,若此条件不能满足前一波形将与紧 系列优点,成为现在Ic设计的主流技术。在CMOS 接着的后一波形相重叠,最终衰减振荡。 集成电路设计中,环形振荡器、RC振荡器线路简 振荡周期由信号穿过整个回路的传输延时决定, 单,可以片内集成,频率调节范围广,是在实际

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