二氧化铪HfO_2薄膜的自组装制备.pdfVIP

第38卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．2 2009龟12月 RAREMETAL～h^TERIALSANDENGINEERING December2009 二氧化铪(Hf02)薄膜的自组装制备 贺中亮，谈国强，苗鸿雁，刘 剑，夏傲，梁 东 (陕西科技大学，陕西西安710021) 制备晶态二氧化铪薄膜。研究了Hf02前驱液的浓度，退火温度和有机硅烷单分子层等对Hf02薄膜制备的影响。通过 接触角测量仪，XRD和SEM等表征手段，对薄膜表面形貌、微观结构、物相组成进行分析。结果表明：基板在OTS 溶液中浸泡为20 方型，无其他杂相。膜层表面致密均一，生长良好。 关键词：自组装单层膜法；HID2：薄膜 文献标识码：A 中图法分类号：TB43；TQl34．1+3 文章编号：1002．185X(2009)$2—0609．04 随着微电子技术的迅猛发展，集成电路的集成度 在界面上自发形成有序的分子组装层。由于SAMs是 不断增大，器件的尺寸不断缩小。当MOSFET尺寸 有机分子在溶液中(或者有机分子蒸汽)自发通过化学 缩小到0．1Itm以下时，栅氧化层的等效厚度(在保键牢固地吸附在固体基底上所形成的超薄有机膜，因 持栅带内容值不变的条件下，以相对介电常数为3．9 此它具有原位自发形成、成键高度有序排列、缺陷少、 nm。 的Si02作为标准得到的栅介质厚度)需要小于3 结合力强、呈“结晶态”等特点(图1)。 如仍采用传统的Si02作为栅氧化层介质，电子的直 接隧穿效应和栅介质层多承受的电场将变得很大，引 专 了 I：；：苫 譬 起栅介质的漏电流增大和可靠性下降等严重问题。因 口ja ；；； 以＼a懋‰b—P亨尹一亨尹亨一m晶“一 一{；{一 此，必须采用新的栅极电介质材料来代替传统 工JLU二0生：尘二二0：立■L Si02[1,21。 嚣拦?f?》％下 高介电常数材料(简称高K材料)由于其较高的 甲r甲=：。甲{|甲_P≯孚 介电常数，使得可以在保持或增大栅极电容的同时， o g、o’ 一o’；。o’；o’；。”’ 、t-’g”。l o‘0。’g”70”7 ■一I I—■_—-I I●—一■—■●———■■●■—● 仍然确保介质层有足够的物理厚度来限制隧穿效应的 影响，以降低由隧穿引起的漏电流。在这些材料当中， 二氧化铪(Hf02)以其优良的热稳定性、以及其导带 图l 自组装制备薄膜示意图 IllustrationofSAMformationand filmformation 与硅导带间足够大的势垒高度成为取代传统Si02栅Fig．1 subsequent 氧化层的首选【3J。 Hf02常用的制备方法有原子层沉积、液态雾化源 1 实 验 化学沉积、高真空电子束蒸发、反应溅射、溶胶一凝胶 等。但这些方法技术设备条件要求高，成本高昂。本 1．1 实验原料 研究利用一种制备工艺简单、操作成本低的方