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第 40卷第 7期 硅 酸 盐 学 报 Vo1.40,No.7
2012年 7月 J0URNAL0FTHECHINESECERAM IC S0CIETY Ju1y, 2012
La89/Sr14/5Na44/5MnO3/0.5x(V2O5)复合体系的电输运及磁电阻
唐永刚 ,一,王桂英 ,一,严国清 ,宋启祥1,2张明玉1,2彭振生1,3
(1.自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室(培育基地),安徽 宿州 234000:2.宿州学院机械与电子工程学院,
安徽 宿州 234000;3.中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,合肥 230026)
摘 要:用固相反应法制备了L8,9Srl5Na44/5MnO3/0.5x(v2o5)=0,O.04,O.08,o12,0.16,0.20)系列样品,通过x射线衍射谱 、扫描电子显微镜、
电阻率—温度( 和磁电阻韫 度(RM一 的关系,研究了样品的电输运性质及 温度稳定性。结果表明:所有样品表现为从高温区绝缘体导电到低温
区金属导电的绝缘体一金属相变 ,随v2o5复合量增大,绝缘体一金属转变温度 向高温移动;v2o5复合量较小 ≤O.o8)n~p-T曲线出现双峰,V2O5
复合量较大 ≥0.12)时P—T曲线双峰消失;所有样品在低温区随温度降低 M持续增大,表现出低场磁电阻特征,在高温区的本征磁电阻随V2O5复合
量增大而逐渐减小:对于 =0.16、0.20的样品,在O.8T磁场,319~283K,RM基本保持6.4%和5.8%不变 。 M温度稳定性的产生原因可能是表面
相引起的隧穿磁电阻与体相引起的本征磁电阻竞争的结果。在高温区体相 内部双交换引起的本征磁电阻 占优势,在低温区界面的磁无序引起的隧穿磁
电阻占优势,最终在中间温区产生不随温度变化的R 。
关键词:电输运性质;磁电阻温度稳定性;复合体:钙钛矿锰氧化物
中图分类号 :0482.54 文献标志码:A 文章编号:0454—5648(2012)07—1018—05
网络出版时间:2012-0743 14:54:47 网络出版地址:http:/w/ww.cnkinet/kcms/detail/11.2310TQ1454.201207.1018017.html
—
ElectricTransportandMagnetoresistanceinLas9/Sru4sNa44/sMnO3/0.5x(V2Os)Composites
TANGYonggang ,WANGGuiying ,YANGuoqing-一,SONGQ~iang,一,ZHANGMingyu ,PENGZhensheng,
(1.CultivatingBaseofAnhuiKeyLaboratoryofSpintronicsandNano—materialsResearch,Suzhou234000,Anhui,China;2.Department
ofElectricalandElectronicEngineering,SuzhouUniversity,Suzhou234000,Anhui,China;3.HefeiNationalLaboratoryfor
PhysicalSciencesattheMicroscale,UniversityofScienceandTechnologyofChina,Suzhou230026,Hefei,China)
Abstract:ThesamplesofLa89/Srl4/5Na44/5MnO30/.5x(V205) =0,0.04,0.08,0.012,0.16,0.20)werepreparedbyasolid—statereac—
tionmethod.Thetemperaturestability o
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