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摘要
PL谱等分析方法，研究了薄膜表面形态、结构、组成、化学态、微结构及光致
发光的研究．
对经过不同温度真空(10。3Pa)退火的脉冲激光淀积得到的SiC薄膜采用
FTIR、SEM、XRD等分析方法，研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、
‘…～—“一““
组成，并进行了薄膜的光致发光研究．在Si(100)上800℃脉冲激光淀积得到的
非晶SiC薄膜经非晶核化-长大过程，在980℃完成最佳晶化．随退火温度的变化，
膜表面，显示较强的447nm蓝光发射，其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺
陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁．r一广～
进行了不同淀积条件下制得样品的对比实验，根据FTIR吸收峰的积分面
积与膜厚成正比的关系，计算了不同淀积条件下薄膜外延生长的表观激活能，并
初步讨论了婆墼堡笪对薄膜叁笙生篓的影响．
r————
Abstract
were
aceramicSiC with ArFexcimer films
ablating targetpulsed laser,SiC
By
on at800C．After inthe
Si(100)substratesannealing
prepared
wereexaminedFouriertransforminfrared
films
980。C．the by reflectance(FTm)，
Electron
Scanning Microscopy(SEM)，X—ray
Electron
Microscopy(TEM)，X—rayphotoelectron
surface
investigate
photoluminescencespectroscopy(PL)tomorphology，crystal
stateofthe and
structure，composition，chemical
ofthefilm．
photoluminescence
in different filmswere
After the
vacuum(10。Pa)attemperatures，the
annealing
and to
examined PL the
FTIR，XRD，TEM，XPS
by investigateoptimaltemperature
of andthe
crystallization，surfacemorphology，crystalstructure，compositi
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