SGOI材料SIMOX制备技术研究.pdfVIP

摘 要 SGOI材料的SIMOX制备技术研究 作者姓名： 陈志君 (微电子学与固体电子学) 指导老师： 张峰 研究员 摘要 SGOI(SiGe-011 因而成为应变硅技术应用的新型衬底材料。利用SGOI材料作为衬底生长的应变硅材 料，由于载流子迁移率的提高，可以实现现有线宽下，CMOS性能的提高。然而，载 流子迁移率的提高效率是由应变硅的应变大小决定的，也就决定于SGOI中锗含量大 小。理想的SGOI衬底要求锗含量达到30％以上以使电子、空穴迁移率提高到饱和值。 备的SGOI材料锗含量难以超过10％，这主要是由于随着锗含量的提高，硅锗的熔点 逐渐降低，高质量的埋氧层形成所需要的高温退火条件不能满足。锗含量超过10％以 上时，高温退火造成严重的锗损失和品格质量恶化。 是改进SIMOX技术并用于SGOI的制备和SIMOX剂量、能量的匹配关系研究。 本论文讨论了SiGe材料的热氧化特性与氧化气氛的关系。通过工艺优化实现了 本质是氧化传质机理的不同。 为解决锗损失的难题，本文提出了CAP．SIMOX技术，先生长一二氧化硅盖帽层， 使锗在退火过程中不能轻易扩散流失出去，再进行离子注入，注入剂量和能量分别为 质量的SGOI材料，硅锗组分均匀，晶格质量较好，TEM观测没有发现缺陷存在，X 射线摇摆曲线和拉曼光谱分析发现顶层硅锗锗含量提高到约17％，而且应变弛豫完 高到了17％，在此基底上运用应变硅技术可以达到电子迁移率提高的饱和值。 在此基础上，本文还对CAP．SIMOX技术进行了工艺优化，将氧化工艺与退火工 制备得到了高质量的SGOI材料，RBS沟道产额为7％。研究发现，氧化增强注氧隔 中圉科学院上海微系统与信息技术研究所博士学拉论文 摘 要 存在，有效地限制了锗的损失，通过高温退火过程促进锗的均匀分布和晶格质量提高。 由于其制备的SGOI材料的优越性能及更加简化的工艺，氧化增强注氧隔离技术更具 竞争力。 为扩大CAP．SIMOX技术的应用范围，本文还系统地研究了注入剂量、能量等工 艺参数对材料质量的影响。实验中，氧离子的注入剂量和能量从低剂量／能量(2．0× 1017 keV)。研 cm’2@25keV)一直变化到常规的高剂量／能量(5．6×10cm2@120 究发现，通过优化注入剂量和能量可以显著提高SGOI材料的质量，并得到了制各 埋氧层的形成机制进行了探讨。我们提出高质量的SGOI结构的形成，是发射间隙硅 原子(siliconinterstitial)和Si02的粘滞流动(VISCOUSflow)两种机制共同存在的结 果。 另一方面，我们还对SIMOX工艺过程中由于剂量失配发生的锗浓缩效应进行了 观测：对SGOI材料的锗浓缩工艺做了一些尝试；从工艺优化角度，提出了将锗浓缩 工艺与退火降温过程整合的新工艺。这为SGOI材料锗含量的提高和sIMOx技术在 此领域的应用奠定了基础。 关键词：掩盖注氧隔离技术，氧化增强注氧隔离技术。 绝缘体上的锗硅，应变硅 II 中囤科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文 Abstract of ResearchSIMOX forSGOIFabrication technology andSolid—state ZhijullChen(Mircroelectronicselectronics) Directed Professor by：FengZhang Abstract