体外模拟脑缺血再灌注损伤对海马神经元凋亡影响及抗呆Ⅰ号作用研究.pdfVIP

中义摘要 体外模手绷9缺血再灌注损伤对海马神经元凋亡的影响 及抗呆 1号的作用研究 中 文 摘 要 味恤性脑。病是一种常见的老、麟.、泼现。、后的。注都。组织 有很强的损害作用，通过研究对其具体损伤机制已提出了多种学说.许多研究证实，短暂脑 缺血后再灌注可引起中枢神经系统的迟发性神经元死亡(DND).进一步将DND与细胞凋 亡相结合进行研究发 在脑缺血再灌注引起的迟发性或继发性损伤中 神经元凋亡可能是 细胞死亡的主要形式 取原代培养大鼠海马神经元为研究对象 建立体外模拟脑缺 血再灌注损伤模型，观察此损伤引起神经元乳酸脱氢酶漏出量 (LDH)和一氧化氮合酶 (NOS)活性的变化，并以细胞凋亡为侧重点，着重观察了损伤后神经元凋亡的发生情况 及凋亡调控墓因的表达变化，以及探索了由天麻素等中药提取物组成的杭呆I号在这些方 面对神经元的影响，为阐明脑缺血再灌注后神经元损伤机理及中药的开发和临床应用提供实 验依据. 一l[.海马神经元MIX体培养及体外模拟脑啦再灌AN-M型的建立 实验综合了有关的神经细胞培养方法，取新生大鼠海马制备成细胞悬液，采用DNIEIv1 培养墓，加入马血清和N3液进行培养，并用阿枪胞普抑制非神经细胞增殖，从而获得足够 数量且达到一定分化程度的海马神经元. 损伤模型采取去除葡萄枪配合缺氧的方法，模拟体外培养海马神经细胞的 缺“血.”损 伤;而后给予正常条件(正常培养液和有氧环境)模拟 再“灌注”损伤。 2.体外模拟脑缺血再灌注损伤引起神经元LDH漏出量的变化及抗呆I号的影响 用紫4M可见光分光光度计测定观察到:缺血5h后，模型组LDH漏出I即明显高于对 照组;再灌注后随着时间的延长，损伤引起LDH漏出更为严重，与对照组相比差异极为显 著。抗呆I号能明显抑制损伤所致LDH的漏出。 3.体外模拟脑缺血再灌注损伤引起神经元NOS表达的变化和抗呆I号的影响 组织化学染色显示，损伤后神经元NOS表达的变化为:缺血5h模型组强阳性和阳性 细胞最多，再灌注后随着时间的延长，这类细胞逐渐减少直至与对照组接近。给予抗呆I 号后，强阳性细胞数目减少，表明它们可抑制神经元NOS表达，减少NO的生成，从而减 轻兴奋毒性及自由墓损伤作用. 4.不同损伤时间引起神经元凋亡发生的差异 缺血5h与缺血3h比，前者细胞损伤程度较重(LDH漏出量大)，但流式细胞仪检测其 凋亡细胞比例却低于后者。 5，体外模拟脑缺血再灌注损伤后神经元凋亡发生的动态变化和抗呆I号的影响 TUNEL检测表明，缺血3h后，再灌注初期海马神经元中开始出现凋亡细胞，再灌注24h 体外模拟脑缺血再灌注损伤对海马神经元凋亡的影响及抗呆I号的作用研究 凋亡细胞数量达高峰，48h已下降，至72h基本陕复到再灌注初期水平。用抗呆I号后，凋 亡细胞数明显少于模型组，表明抗呆I号能抑制损伤导致的神经元凋亡. 6.体外模拟脑缺血再灌注损伤对神经元凋亡调控墓因表达的影响及抗呆I号的作用 免疫细胞化学染色显示，体夕F拟脑缺血再灌注损伤可引起神经元凋亡调控墓因的表达 发生变化:bcl一表达显著阳氏，而bax表达明显增高;两者都呈现一定的时间变化趋势， 在再灌注过程中，bcl-2阳性细胞先逐渐减少随后回升，而bax则表现出先升高后阳氏的变 化过程，并且bcl-2表达最少的时间与bax表达高峰时间正好一乳 抗呆I号能抑制损伤引 起的凋亡调控荃因的表达变化，即上调bcl-2表达和减少bax表达，提示抗呆I号可通过影 响凋亡调控荃因而对神经元起到保护作用. 综上所述，本实验结果表明，体夕限拟脑缺血再灌注可引起海马神经细胞的损伤性反应， 其机制可能与NOS的活性改变及细胞凋亡的发生有关.抗呆I号一方面可通过抑制NOS 的活性变化，减少NO生成，从而减轻其毒性损伤而保护神经元;另一方面，通过影响凋亡 调控攀因的表达，调动细胞对抗损伤的自A%护机制，进而抑制细胞凋亡，对神经元起保护 作用.丫 火少 关键词: 凋亡调控基因 海马神 丝田胞