酸蚀刻单晶硅片粗糙度研究.pdfVIP

第二十五届中国(天津)2011‘IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议 酸蚀刻单晶硅片粗糙度研究 由佰玲李科技罗狲孙希凯刘振福李翔 (中环领先材料技术有限公司 电话2037) 摘要：由于电力电子器件的市场对酸腐蚀片的需求，如何制备低粗糙度的酸腐蚀片越来越研究受到关注，而酸腐蚀工艺对 粗糙度的影响却鲜有报道。本文讨论的酸腐蚀工艺对腐蚀片粗糙度的影响，发现随着腐蚀厚度的增加酸腐片的粗糙度越来越小； 而随着温度的升高酸腐片的粗糙度变小；腐蚀较多硅片的腐蚀液腐蚀硅片粗糙度较大。 关键词：单晶硅片 酸蚀刻 粗糙度 Theresearchonthe ofacid wafer roughnessetching You Li SunXikaiLiuZhenfu bailingkejiLuoChong LiXiang ZHONGHUANADVANCEDMATERIALANDTECHNOLOGY CO．，LTD (TIANJIN Tel-2037) oftheboomofPowerElectronics withacid surfaceattractsscientific Abstract：：Because market，waferetching great interest．Inthis the between and wasindicatedthatthemore article，weanalyzed relationshiproughnessetchingrecipe．It waferachedthesmallerthe was．andetch canreduced addition,the roughnesshigh temperature roughness．In roughHess ofwaferetched诵tholdacidmixturesis thenthatetched祈tIlnewone． lager acid Keywords：waferetchingroughness 1引言 蚀刻在单晶硅片加工过程中是比较基础，也是比较关键的技术，其主要目的是为了去除磨片加工过程中产 生的损伤层Ⅲ，通过控制蚀刻工艺来获得比较好的硅片参数，如厚度，。ITv，粗糙度等等，从而为后续直接使 用腐蚀硅片制备电子电力器件或进行后续抛光提供良好的基础。一般的湿法蚀刻有两种，一种是碱性腐蚀，一 种是酸性腐蚀，碱性腐蚀的特点12是工艺和设备简单，容易控制，成本较低，但其腐蚀液含有碱金属，其纯度 也通常不高，不可避免的造成表面金属离子沾污，因而其表面的复合中心相对较多，对硅片的寿命有一定的影 响，同时粗糙度也较大；而相对来酸腐工艺p1不容易控制，但其对设备、工艺、加工环境的要求较高，所以成 本相对较高，但其表面金属离子含量较少，单晶硅片少数载流子寿命要远远好于比碱腐蚀片，同时，由于其腐 蚀过程属各向同性腐蚀，其粗糙度参数通常较小。 近年来，随着以IGBT茭2代表的新型电力电子器件的市场需求的快速增长川以及其加工技术的提高，硅片的 使用领域也逐渐扩大，由于酸腐片较之碱腐片有较光洁的表面，较小的粗糙度和较低的表面金属含量，在一些 领域逐渐开始直接使用酸腐片替代成本相对抛光片或外延片制备电子器件，以降低成本。但是相应的对酸腐片 的技术指标提出更高的要求，例如，粗糙度越来越成为客户关注的重要的指标∞1。另外，正如文献|4J所叙，酸 腐片的粗糙度对后续抛光加工过程也有一