GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析.pdfVIP

第33卷 第 1期 电 子 器 件 Vo1．33 No．1 2010年 2月 ChineseJournalofElectronDevices Feb．2010 IlighTemperatureAccelerantLifeTestandPhysicalAnalysisofGaAsPHEMTDevice CU／Xiaoying ，XU Yan，HUANG Yun ，TheNo．5ResearchInstituteofMIIT，NationalKeyLaboratoryofScienceandTechnologyOnReliabilityPhysicsn，、 ＼ApplicationofElectricalComponent，Guangzhou510610，China ， Abstract：DegradationofGaAsmicrowavedevicenearlyrelatedtostabilityofdevice’Smetallizationwhichincludes gatecontact，ohmiccontact，andtransmissionline．A hightemperatureaccelerantstrasslifetestwasperformedon gatemetalcontactholechainandohmiccontactmetalrectanglebarofGaAsPHEMT devicetopredicttherelife， andphysicalanalysiswasputintothesampleafterexamination．Itturnsoutthatthegatemetalfailuresat180 ， withtransmutationofthecontactholechainsurfacemetallizedlayerandmirgatationofthemetallizedsurfacelayer． Moreover，AuGeNiohmiccontactoccurselectromigrationathighertemperature225℃ ，andthemetaldiffusesinto underlayerthatfomr scavityonmetalbar． Keywords：GaAsPHEMT；gatecontact；ohmiccontact；hightemperatureaccelerantstresstest；lifepredict EEACC：2560S：2530D GaAsPHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析术 崔晓英 ，许 燕，黄 云 (工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广州 510610) 摘 要：GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关，实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化 和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAsPHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿 命试验，并对器件金属化失效单机理进行寿命预计，同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在 180℃ 下就发生失效 ，接触孔链表面的金属化层形变，金属化发生了迁移；而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失 效，金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。 关键词：GaAsPHEMT；栅接触；欧姆接触；高温加速应力试验；寿命预计 中图分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号：1005—9490(2010)01—0022—05 GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相 本文主要针对 GaAsPHEMT器件 的特殊评价 关 ，实现 PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属 结构进行高温加速应力试验 ，研究器件金属化退化 化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化，这些金属 的失效机理，并对器件金属化失效单机理进行寿命 化本身在电流应力作用下，金属原子发生定向移动， 预计，同时对试验后的样