GaSb薄膜特性的研究论文.pdfVIP

第三部分化合物半导体电池及新型电池(含染料敏化电池和聚光电池) ·797· GaSb薄膜特性的研究 阮建明 隋妍萍蔡宏琨乔在祥 张德贤+ (南开大学电子科学与微电子系，天津300000) 摘要GaSb的禁带宽度是0．72eV，为低禁带半导体，是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方 法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发的方法在衬底上成功制备GaSb薄膜。分另q对在相同蒸发源 反应温度，不同衬底上得到的GaSb薄膜以及相同村底，不同蒸发源反应温度下得到的薄膜分别进行XRD以 及红外光谱分析，得出不同衬底和温度的变化对薄膜择优取向和晶粒尺寸的影响，寻求制备GaSb薄膜的最 佳条件。 关键词共蒸发；GaSh薄膜；择优取向；晶粒尺寸 ofGaSbThinFilm Study Ruan Sui Cai Qiao Dexian+ HongkunZaixiangZhang JianmingYanping ofElectronicScience andMicro-electronics，Nankai (Department University，Tianjin，300071，China) is low Abstractne of GaSbthinfilms0．726eV．Itis semiconductor, polycrystalline bandgap bandgap cell conventional whichisamainmaterialforinfrareddetectorandTPV．Thecostof GaSb getting using is this GaSbthinfilmsis onsubstrates wayshigh．Inpaper，the successfullyprepared usingcoevapration． theXRDandinfrared oftheGaSbthinfilmsondifferentsubstratesandunderdifferentre· Through analysis of action callobtaintheeffectonthinfilm’S orientationand size different temperature，we preferred grain substratesanddifferent temperature． thin size Keywords orientation；grain co-evaparation；GaSbfilm；preferred 现[1l。美国的jx Crystals公司