InN薄膜变温光致发光与光学吸收研究论文.pdfVIP

第十五层全田化合物半导体．微波器件和光电器件掌术会议 广州’08 WED—GaN．F03 l nN薄膜变温光致发光与光学吸收研究 张曾，张荣+，谢自力，刘斌，修向前，陆海，韩平，郑有蚪 (江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学物理系，江苏南京210093) 摘要：利用变温吸收光谱、光致荧光谱，对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。 吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为O．69eV附近，与现阶段丰要报道值O．7eV。致。变温吸收 光谱验证了InN带隙随温度升高的收缩效应。通过对变温光致发光光谱的S型变化的分析，证明低温下材料中的杂质导致的局 域态载流子参与r光学跃迁，而随温度升高光学跃迁机制发，#．转变。拟合得到不同载流了浓度下的局域化能量分别为5．05meV 和5．58meV，载流了浓度增加使杂质电子相瓦作用增强，导致局域化能量增大。 关键词：氮化钢：吸收光谱：光致发光谱；载流子局域化 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： of i cal i onand Temperaturedependenceopt absorpt I i fi I m umnescenceforI nN photo z．Zhang，R．Zhang’，Z．L．Xie，B．Liu，X．Q．Xiu，H．Lu，P．Han，YD．Zheng meansof ofInNfilm metal chemical Abstract：Byopticalabsorption，photoluminescence(PL)，theoptical grownby organic properties isobservedthattheband InNisO．69eVdetermined and vapordeposition(MOCVD)areinvestigated．It ofhigh byabsorption gap quality PLmeasurements，whichis withtherecent valueofO．7eV．Thered—shiftof band dueto agree reported absorptionedge temperature increasedemonstratestheeffectof band the of of energy analysisS-shapetemperaturedependencephotoluminescence shrinkage．By inducedlocalizedcarriersare beinvolvedinthe atlow a of peak,theimpurities temperature，andchange suggested photoluminescence mechanismfor transitionis localizationof5．05meVand5．58meVfor ofdifferentcarrier optical proved．The energy