半固态流变浆料制备装置温度控制系统.pdfVIP

半固态流变浆料制备装置温度控制系统.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半固态流变浆料制备装置温度控制系统.pdf

半固态流变浆料制备装置温度控制系统 李文革(河4L_T-业职业技术学院计算机技术系,石家庄 050091) 摘要:介绍了一种基于脉宽调制技术的半固态流变浆料制备过程的温度控制系统。分析了该系统的工作 原理、实现电路以及 PWM控制芯片的结构和具体应用。 关键词:半固态浆料制备;温度控制系统 中图分类号:TP273;文献标识码:B;文章编号:1006—9658(2010)01—2 半固态金属成型技术是 21世纪前沿性的金属 系统采用 SIMENSS7—200型可编程控制器为 加工技术。在合金半固态铸造过程中,金属的温度发 主机,其硬件包括CPU模块、数字量输入输出模块、 生微小变化时它的固相率会发生很大变化,因此提 模拟量输入输出模块、电源模块等,采用触摸式操作 高温度的控制精度具有十分重要的意义哪。 屏用于设定和修改工艺参数及过程控制变量。温度 控制系统由热电偶采集的温度信号经冷端补偿、线 1 加热元件选择 性化处理送入PLC的闭环控制模块,与给定值一起 在有色金属半固态浆料制备过程中采用的加热 经PID运算处理后,输出给加热电源控制电路使其 元件有电阻丝、硅碳棒等,但黑色金属需要在大于 按温度设定要求改变电压、电流大小,达到温度 自动 1500~C的高温下进行,一般发热元件已不能满足需 调节的 目的。 要,因此选用了硅钼棒作为发热体。硅钼发热元件在 PID控制回路的参数整定是模拟量闭环控制中 氧化气氛下加热到 1200~C以上时,气态的三氧化钼 的一个难点,初始参数选择不当,会使系统出现很大 挥发,二氧化硅则附着在元件的表面上,生成致密的 的超调量,甚至使系统不稳定。新一代 s7—200PLC 石英玻璃膜,从而保护元件不再氧化,因此硅钼发热 具有 PID参数 自整定功能 ,V4.0版的编程软件 体的抗氧化性很好,在氧化气氛下最高可使用到 STEP7一Micro/WIN增加了PID整定控制面板,使系 1700~C2[],因此硅钼棒发热体完全可以适用于黑色金 统能实现PID的参数 自整定,能提供一组最优的整定 属半固态浆料的制备。 参数。 供电系统主要 由变压器、逆变部分、整流滤波电 2 温度控制系统的设计 路、PWM控制电路、保护电路和电压电流采样显示 电路等组成,系统框图如图 1所示。 收稿 日期:2009—10—09 文章编号:2009—129 3 逆变电源方案设计 作者简介:李文革(1967一),女,讲师,主要从事计算机控制 传统的可控硅工频加热电源整体效率低、体积 要清理的工件表面,使工件得到均匀一致的清理 。, 化,其主要技术性能达到了国际同类清理设备先进 3.2 工件清理顺序 的水平。室外粉尘排放浓度小于2mg/m,达到了国家 行车将钢管放至回转机构托辊上一工件右移一 规定的环保指标。设备基础较浅,且易于拆装、搬运, 工件回转一抛丸清理一行车取料一送至下一工序。 适合管道安装的野外移动作业。通过用户的连续使 用,该设备技术性能稳定,设备故障率较低,使用可 4 结束语 靠,能够满足用户大批量连续生产的要求

文档评论(0)

我才是小泥巴 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档