稀土Dy掺杂对ZnO，CdO和SnO2薄膜性能的影响.pdfVIP

半导体材料 SemiconductorMaterials DOI：10．13290／j．cnki．bdtjs．2014．12．011 稀土 Dy掺杂对 ZnO，CdO和 SnO2薄膜性能的影响 韩菲 ，李健 (1．燕京理工学院机 电工程学院，河北 廊坊 065201； 2．内蒙古大学 物理科学与技术学院，呼和浩特 010021) 摘要：用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物 CdO，ZnO和 SnO薄膜 ，研究不同 Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示：适-3的Dy掺杂和热处 理可改善薄膜的结构特性，使薄膜表面的致密性变好。CdO，ZnO和 SnO 薄膜的最佳掺Dy原子数 分数为5％，5％和3％。掺Dy后CdO，ZnO和SnO。薄膜的导电类型均为n型，电阻值降低约一个数 量级。Dy掺杂使得薄膜的致密性增加而导致光透过率降低。制备的薄膜都是直接带隙半导体，相 应的光学带隙：CdO约2．232eV，CdO：Dy(Dy原子数分数5％)的略增为2．241eV，ZnO薄膜约 为3．31eV；ZnO：Dy (Dy原子数分数5％)约 3．25eV，SnO2薄膜约3．07eV，SnO2：Dy (Dy原 子数分数 3％)约 3。03eV。 关键词 ：热蒸发 ；CdO；ZnO；SnO ；薄膜 ；稀土 Dy掺杂；热处理 中图分类号：TN304．055 文献标识码：A 文章编号：1003—353X (2014)12—0936—07 EffectsofRareEarth DyDopingonZnO ，CdO and SnO2Thin Films HanFei，LiJian (1．YenchingInstituteofTechnology，CollegeofEfecfrD，necn c口fEngineering，Langfang065201，China； 2．InnerMongoliaUniversity，CollegeofPhysicalScienceandTechnology，Hohhot010021，China) Abstract：CdO，ZnO andSnO2filmswithrareearthDydopedwerepreparedbythermalevaporation andheattreatment，tostudytheeffectsofdifferentconcentrationsofDyandheattreatmentonthethree typesoffilm properties．XRD andSEM testsshow thatDydopedandeffectiveheattreatmentcan improve thestructuralpropertiesofthefilmsandincreasethedensificationofthefilm surface．Themostappropriate concentrationofDydopingCdO，ZnO andSnO2thinfilmswere5％ ，5％ and3％．Theconductivitytypeof CdO，ZnO andSnO2thinfilm withDydopedweren—type，andtheresistorwerereducedbyaboutanorder ofmagnitude．The increaseofdensificationofthefilmswithDydopedreduced thetransmittanceoffilms． Thinfilmswere directbandgap semiconductors，and the opticalband gapofCdO isabout2．232 eV ， CdO ：Dy(5％)slightlyincreasesto2．241eV，ZnOfilm isabout3．31eV，ZnO ：Dy(5％)isabout 3．25eV，SnO2filmwasabout3．07eV，andSnO2：Dy(