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P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究 ·115· P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究 牟维兵徐曦 (中国工程物理研究院电子工程研究所 四川-绵阳621900) 照对比研究，发现两种场效应管阈电压变化麟蔼照剂量近似一阶指数衰减关系。产生这种现象的原因是场效应 管氧化物中的空间俘获电荷与辐照剂量近似线性变化，对朗值电压变化和辐照剂量有近似线性的改变，而界面 态对空间电荷有补f尝作用，其对阈值电压的改变有近似与辐照剂量成二次方的关系。 美奠词场效应管辐照剂量阏电压 1引言 MOS场效应管受总剂量辐照时，其内部物理过程异常复杂。既有由于电离产生的电子一空 穴对漂移运动形成的空间电荷、界面俘获电荷，又有电子一空穴的复合，同时还有退火过程的 影响。而这些过程又相互作用，相互影响。要准确描述每个过程的行为，几乎是不可能的。一 般的研究方法是，通过一定总剂量辐照，考察器件的某个敏感参数变化，辅以一定的物理模型， 研究其某个物理过程的行为。MOS场效应管电离辐射效应主要是在二氧化硅和硅的交界面及其 附近的二氧化硅层中造成缺陷和俘获电荷。但是，由于电离辐射效应与原始半导体材料中杂质 缺陷的情况、器件工艺条件及沾污等多种因素有关，因此，不同文章报道的结果往往不完全一 致。机制的解释也未达到完善，尚有许多需要进一步探讨的问题等待解决”一。 国内外有对MOS场效应管加以偏置电压进行辐照，通过测量阈电压随辐照剂量的变化， 来研究MOS场效应管的总剂量效应““。在有些情况下，MOS场效应管未加偏置的情况下就受 到总剂量辐照，其总剂量效应的情况与加偏置还不完全一样。IRF9530和IRF540N作为常用的 功率场效应管，其在总剂量辐照下的变化情况还不十分清楚。我们在不加偏置的情况下采用中 国测试技术研究院的x光机和中国工程物理研究院的钴源，分别对这两种场效应管进行了总剂 量辐照实验。 2实验 x光机的x射线剂量率较小，不需加滤光片，x射线能量范围选择为0—120keV，最可几能 量为40keV左右。为了保证样品辐照的均匀性，同时剂量率尽可能大，故安排样品在距光机靶 量。 116 物理殛其应用 采用以下电路进行场效应管阔电压测量，测量电路如图1所示。 E1 圈1 MOSFET闷电压测量电路 V，和V：为电压表，测量精度为0．0lV，A1为电流表，测量精度为0，l斗A。实验器件为N 的测量条件：V“=-20V，Ir=-250斗A。两种样品各5个，最终场效应管的阈电压的测量结果采 用的是样品测量值的平均值。 X光剂量采用空气电离室监测，并进行温度、湿度修正，确保很高的精确度。钴源辐射场 及升降源剂量均采用硅量热计进行标定，标定结果为硅吸收剂量。 2．实验结果 场效应管阈电压在不同射线辐照下随剂量的关系，如表1—4所示，,dVT表示辐照前后阈 值电压的变化大小。 表1在Y射线辐照下IRF,540N栩电压vT随辐照剂量的关系 Dose 0 500 1000 150020002500丑。00 3500400045005000 (Gy) 2．84 2．22 1．79 1．50 1．24 1脚 0．82 n71 0．57 0．49 0-37 vt(V) 4“V) ．-062 -I．05-I．34一I．6 —1．78 —2．02 -2．13-2．27 -2．35-2．47 袭2在X射线辐照下IRF540N阐电压vT随辐照剂■的关系 表3在y射绒辐照下IRF9530闻电压随辐照剂量的关系 高0500 113001500 200 2500 30003500400045005000 vT(v)296 3．43 3．84 4．22 4．40 4．67 4．81 t965．14 5．24 5．38 dV-0．470，88 1．26 1．44 1．71 1．85 2．0 2．18 2．28 2．42 P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究