VHF-PECVD沉积非晶硅材料地研究.pdfVIP

VHF—PECVD沉积非晶硅材料的研究 黄维海，麦耀华，侯国付，薛俊明，孙健，任慧志，张德坤，耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所， 天津300071) 文摘 非晶硅薄膜的高速生长将极大地缩短生产时间，降低生产成本。本文针对用甚高频等 离子体增强化学气相沉积(VHF--PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料进行了研究。在合适 A／秒的a-Si：H本征层材料，其光敏性高达 的沉积条件下，我们获得了沉积速率为53．6 (rf-PECVD)系统制备的样品相比，其光稳定性敏性相似，而沉积速率提高了25倍以上。 关键词：非晶硅薄膜，VHF—PECVD／．光敏性，沉积速率 I．引言 非晶硅太阳电池具有低成本优势，然而目前仍存在的较低的稳定效率和较高的制造成 本，阻碍了其大规模应用。提高薄膜沉积速率，从而提高产率，是降低生产成本的有力措施， 而VHF．PECVD是一种最有发展前景的高速沉积技术。 一般情况下，a-Si：H薄膜生长速率的增加．将伴随着其性能光致衰退效应的增大。因 此如何高速沉积优质稳定的a-Si：H材料成为当前研究的热点课题。 在等离子体增强化学气相沉积中，SiH4分解生成的SiH，Si卜b，SiH，等反应基团都将 进高硅烷聚合物的形成，从而使生成的a-Si：H膜稳定性变差。一般生成SiH2所需的电子能 产生率相对于SiH，增加，使硅烷聚合物形成，膜的稳定性变差。所以，在高速沉积条件下， 降低电子温度是提高a．Si：H膜稳定性的必要条件【1J。 研究表明，提高等离子体的激发频率和反应气体的压强可以降低电子温度和提高电子 密度，而且自动加在硅烷等离子体阴极上的直流自偏压也随着频率的提高而降低，这将减少 流向衬底的正离子的流量和能量，使非晶硅材料受到的离子轰击减少，降低材料的缺陷态。 11．2】我们采用VHF．PECVD技术，在适当工作压强和较高的氢稀释条件下，研究了不同沉积 条件下非晶硅薄膜沉积过程和薄膜特性，获得高速沉积器件质量级的硅基薄膜材料。 2．实验 璃，电极间距为2cm。样品的沉积条件：激发频率70MHz，辉光功率密度O．16—1．6W／era2， 反应气体压强60一180Pa，硅烷浓度为6％一15％，衬底温度为150--250C。 3．结果与讨论 3．1衬底温度对a-Si：H薄膜的影响 如表3—1所示，从前两个样品可以看出，随着温度的提高，沉积速率也跟着提高。这 是因为衬底生长表面的各种离子、原子团的迁移率随着温度的提高而增大，反应发生的机会 也就增大了，但样品的光敏性也有所下降。在调整了其它工艺参数后，在高温下也可以获得 光敏性在6个数量级的材料(如样品M03011所示)。 表3一】不同衬底温度下制备的a-Si：H薄膜 功率密度 样品号 硅烷浓度 (W／cm‘) 光敏性 气压(Pa) 衬底温度(℃) 速率(A／s) 01 M123 60 12％ 185 0．16 6．6 3．15E+06 M0120160 12％ 237 0．16 10．5 6．70E+04 M030】1】80 15％ 250 0．】6 】7．2 】60E+06 32硅烷浓度对a-Si：H薄膜的影响 非品硅材料的光致衰退是由于大量缺陷态存在而产生的，所以减少缺陷态，使材料更 加有序化也是实现非晶硅材料稳定化的一个重要方法，氢稀释的一个作用是加强氢的刻蚀作 用，把那些连的不是很稳固的Si—si键刻蚀掉，以生成更加牢固的si．si键，使缺陷态减少， 有序度提高。【l3】但这不是说，硅烷浓度越小越好，当氢稀释到一定程度，硅烷等离子体中 占主要地位的离子就会从较重的Sill3+离子向较轻的H．离子转变，等离子体中的电子温度就 会增加，这是不利于商速生长商品质的非晶硅薄膜。11】 我们固定反应气体压强、村底温度和功率密度，改变硅烷浓度，制各出的样品的沉积 速率如图3—1所示，样品的Raman衍射谱如图3—2所示。可以