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罗大兵 等：立方体形低介电PZT 粉体的合成研究 1247 立方体形低介电PZT 粉体的合成研究* ∗ 罗大兵，李艳锋，刘韩星，欧阳世翕 （武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北 武汉 430070 ） 摘 要：采用 Sol-Gel 法，通过适量的元素掺杂合成 数陶瓷粉的复合材料表现出较高的压电常数。从以上 了具有钙钛矿结构的 PZT 粉体。探讨粉体的合成条 两方面考虑，有必要制备出同时具备规则形状和低介 件，合成粉体具有较低的介电常数和立方体形貌，同 电常数的压电陶瓷粉体材料。 时还具有较高的压电常数，适合于用作复合压电材料 对陶瓷进行掺杂是改变材料性能的重要手段。可 的陶瓷相。 以对 PZT 的介电常数产生影响的元素有多种，表 1 关键词：PZT ；形貌；介电常数 示出了几种离子掺杂后对 PZT 材料性能的影响，其 中图分类号：TM22 文献标识码：A 中铬、锰、钾、钠、钪等元素对 PZT 材料的介电常 文章编号：1001-7931 （2004 ）增刊 数有较大的影响。实验表明：Mn2+可有效地降低材料 [8,9] 的介电常数而促进压电常数 。在低浓度时，锰离 1 引 言 子均趋向于形成固溶体，但当离子掺杂超过一定浓度 [1] 时，则倾向于在晶界上富集，从而使晶界的力学性能 复合压电材料有12 种连通方式 ，其中以0~3 型 复合的制备方法最易实现，因而获得了广泛研究[2~7] 。 发生变化，易于成为解理面。而对具有钙钛矿结构的 在无机-有机复合压电材料中，由于有机相的压电性 PZT ，其晶胞形状为立方体，故解理后的粉体表现为 能相对较弱，陶瓷相通常是其压电性能的主要载体， 立方体形。此外，贺连星[10] 等人在探讨铬离子对 其压电性能和含量基本决定了复合材料的压电性能。 PZT-PMN 掺杂的作用时，也认为高浓度的铬离子掺 而体积含量要受到粉体形状的制约：对于具有等径球 杂在晶界上富集。 形状的陶瓷粉体，按最密堆积方式，其最高体积含量 表 1 部分元素掺杂对PZT 性能的影响 只能达到约75% ；若陶瓷粉体为等尺寸立方体，则其 Table 1 Influence of some doped elements to character- 最高体积含量可达 100% ；如果陶瓷粉体的形状不规 ristics of PZT 则，则难以控制复合材料中的最大陶瓷含量，不利于 添加物 K （% ） Qm ε p r 获得高性能的复合压电材料。现在的研究中，大多采