脉冲直流PCVD在复杂型腔内表面沉积Ti-Si-N薄膜地研究.pdfVIP

第五届全嚣液面工程学术会议论文集 脉冲直流PCVD在复杂型腔内表面沉积Ti．Si．N薄膜的研究 马青松马胜利徐可为 西安交通犬举金属材料强度国家莺点实验室西安710049 摘要：爨躲；串直流等离子体辘驹纯学气相沉积(PCVD)技术在膏孔豹赢部鞫获缝内侧壁获得Ti-Si-N薄糙。用扫描电子 薄膜在不姆测试位暨处的微观续榴积力学饿艇。结果褒骧，在窿墨嚏邦，糍测试半径增加，T{．Si-N薄膜牛瓢元素禽囊 下降、si辩索含量升高。薄膜薄度下降，臌摹复舍盛微硬度下降；在狭缝谰壁。随测试点偏离轴线距离的增加，薄麟厚 度稍稍下降，薄膜中Ti元素古擞下降、Si元素含量升高，测试鞭度下降。 关键漏：黥{串壹漉PCVD曩-Si-N复袈整粒 蓠言 邂行Ti-Si-N薄膜沉凝。设备蒹理帮特点译觅文歙 工业应用中。大部分工具的工作表面存在复 【4】。 杂形状型腔，这些型腔内部缀难用物理气相流积 Ti—Si-N沉积袈传是沉积瀑度550℃。反威器 (PVD)技术获得均匀致密的镀层1“。化学气褶沉 积(CVD)技术擞有良好的绕度性能，但较高的 滚积溢凌制约了窀在工模其表瑟强纯领域懿广泛 0。C 应用口j。PCVD技术兼备CVD技术良好的绕镀性恒温带出l沉积时漪霉礤蓄|．。 和PVD技术低沉积温度的特点pJ。特别是脉冲直 不f迥鬻砘深度黼积撼潮熊莉-Si精薄膜袭丽 流PCVD技术逶遗g|入豫渖毫濂等离子体，Ⅺ在形貌在JSM-5600LV低真燮扫描毫予显徽镜下蕊 模具的虢缝、深孔等部位较容易的建立起稳定的 浆，用KEVEX、能谱仪瓣慰各薄膜的成分，用 D／max-3C 耀光放电场，达到在复杂激腔内表瓤沉积均匀镀 X射线衡射仪溅谶薄膜的黯侉结构及取 层豹目的。尤其德得关注的建，强翦各种镀膜技 向。薄膜的最镊麓璇爝FM_．70良最锾硬度计测定， 术制备的薄膜样品均是外褥的自然港面，对其结 Knoop篁!秘9石压头。加载59。瓣垮度用球痕法 鞫、洼戆趣镡侩瞧是建立焱淀积于这些垒然袭嚣 确定，臻痰洼霆劈耪!察零德攀瓣溯豢薄装厚囊麴 基体的薄膜。深孔、盲孔及狭缝内寝面均匀沉积 辩验方法。将壹羟为36矗蝴辩辎l稳l∞Cr钳球 的报到相对较少。 程镀层表蕊滚动瘴攘础臻靛。由于膜层与基体 本支尝试用蠢魏攘錾模其表嚣麴复杂墼粒， 羧色不弱，’在畿黉漆蠢黼蠢藩蒋鞠貘嫠豹砑}坑 通过测试沉积在宙孔底部和狭缝内侧壁的Ti*Si-N赢径，通过几何计算即可得到膜层厚度。 薄膜的缎织和性能米评价脉冲直流PCVD技术对 2斌骏结果奄谴论 复杂受膝肉表蟊的整理能力。 在狭缝侧壁和肖孔底部沉积得到的Ti—Si-N薄 1实验方法 黢示意霾霓鼹1鬓零。以。等将分剃程薄膜蛇二维 mx5础高速 实验选用基体材料为16啪×16 尺度上考察薄膜的组织和性熊。 钢(W18Cr4V)，经常规热处理(Hl汜62)质研 密懿竞至镜瑶状淼，为搂攮攘具表援豹复杂黧羟， 设计加工尺寸为巾15mm×20ram的空心钢制阙筒 和厚度为3m、内部空间长宽均为15m的u型钢 板。沉税前，将蒸体霞定在圆篱的一端，澎戒段 高速钢块作为底部的盲孔，同时将HSS基体加紧 赞媸螺捻固定在U型钢教嚣锻，形成娃HSS作必 侧壁的狭缝。各试样经分析纯丙酮、酒糟超声清 洗除油井干燥，在本实验嶷自制的内热式脉冲直 图1(a)狭缝僦懿和(b)赢扎扁部得到的薄膜小意刚 第五屠全孱袋话工程学术会议论文集 2．1 狭缱侧璧薄膜在平行入口方向结构与性能 成份变化不大，随测试点偏离轴线距离的继续增 的分布