热退火InAs%2fGaAs量子点材料中砷沉淀地研究.pdfVIP

范缇文莫庆伟 _f占国 中国科学院半导体研究所材料科学实验室，北京912信箱，100083 摘要 行为进行了研究，实验结果表f爿五周期的InAs／GaAs量子点材料彳1：砷压下，经700 6C，60分钟退 火后．其GaAs盖层的表面上出现了岛状沉淀物．显示出规则的Moire条纹，通过衍射衬度的分析 可以鉴定沉淀物为与基体GaAs具有半共格关系的砷晶粒，Raaan散射谱的测量表明退火材料中出 现了与砷品粒相关的州加峰，证实了该材料系在所用的热退火条件下存在着应变增强的快速扩散． 导致了表面砷沉淀的形成。 一．前青 表现出巨大潜力，因而近年来受到广泛重视，为了优化材料性能和器件研制的需要，热处理已成 了必要的技术手段，在热过程中出现的扩散和沉淀现象成为研究热点．本文用透射屯镜和Raman 散射谱研究了热处理过程中GaAs衬底上生长的五周期I．As量子点材料系中砷沉淀的形成。 二．实验描述 生长厚度为80hm的6aAs盖f9口层。材料生长完成后，对其中…部分样品进行热退火，退火条件为 温度700℃，时间60分钟。约jbar的砷气压。 透射电镜观察所用的样品均按标准程序进行制各．首先根据研究的需要分别制备供平面观察 和横断面观察的试样，即从不同的晶fflJ将样品磨抛牟5()u m左：矗，然后置入氲离子减薄机中进行 轰击，直垒‘{1心出现一个孔为止。奉实验工作是在JEOl。2000EX透射电镜中完成的。 三．实验结果和讨论 圈1为一鲰裨：拥同衍射条件F，即g=220下拍摄的明场电子显微镜照片，图l(a)摄自于未 退火的样品，nf见在Ga^s壤体中分布肓两组JnAs量子点，一种是尺、j|l氐于lo纳米，呈现“黑一 n”瓣衬度，它们1j毖体具有共格关系．被称之为A受，另一类尺寸为儿十纳米的大岛，与基体 不同的减薄方法，因此试样小携带了不同的信息。图1(b)的样品的薄化仅仅从村底方向进行一 真到出现小7L为【r，这样}}j|』作的}羊品保持了一个完整的盖帽层． 圈1(c)的样品足在完成衬底 方向减薄的基础上，氩离子再从G从s盖帽层的方向以掠射角进行婚It,r问的表丽“清洗”，以这种 方式制作的样品不再具有个完整的盖帽，大约有十纳米的G“s表面层被清除。 从罔l(b)巾可发现=-K-岛状结构，第一种尺寸较小．具有“黑一臼”衬度，第二类显示出 [．omer位锚网络，关于这两类岛的惟质及其Lj光学性质的关系已在我们近期的文章 LetL (Appl．Phys 岛为热退火中已弛豫的【nAs量子点，在此也称它们为^及8类。本文侧重f研究第i类岛“c” 的性质。它们显小出圭见则的Moi ve条纹，【刊此，它们足一楣粒f。对样6h进{f-Xgq度倾转实验时， “c”岛的尺、J随之变化，表明它们小其存球对称r{，当^射电子束捅时j。样品的万向由[110]晶 ● · ；。。≮lid -·．·●A’?-‘ ● t ● ● ．●，彰～’- ● ● ●’ ● ● I▲．■譬沁★·f ● ． ～ ■