微晶硅薄膜小角X射线散射的研究.pdfVIP

!!璺 茎查墨垒璺旦生整鏖堂垄金丝生塞盔- 微晶硅薄膜小角x射线散射研究★ 郭晓旭朱美芳 许怀哲 韩一琴 (中国科学技术大学研究生院物理系，北京100039) 董宝中生文君 (中国科学院高能物理研究所，北京100039) 掐翼用小角x射线散射(s^)墨)．Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀释硅烷热丝法 (HWCVD)制备氢化徵晶硅膜教结构．结果表聘教晶硅的太小及在薄膜中的晶态比随氢稀释 度的提高而增加．SAXS表明薄膜致密度随氢稀释度的增加荷增加．结合红外谱和,SAXS的结 果讨沦了不同相结搀下硅罔络中H的键台状态．认为在非晶硅膜中H以Sill键为主，在微晶 硅膜中H以Sill2为主且主要存在于晶粒的界面． 一．引言 微晶硅薄膜在大面积电子学，信息显示高技术领域有明确的应用。采用高H稀释硅烷是 改善非晶硅膜稳定性及低温制备多晶硅膜的新技术途径【1]。薄膜的微结构直接影响材料的稳 定性，光学和电学性质等．通常SAYS常用来研究胶体溶液和有机材料等疏松微颗粒庠系的结 构。可以设想在薄膜材料中由于薄膜不致密性引起的空洞与基质可作为一个两相系统，微空洞 可作为散射单元，因此用SAYS技术来研究薄膜的不均匀性，可得到薄膜中微孔洞的体积、大 小、形状和密度等信息[3“，．本文主要报道用SAxs研究用热丝化学气相沉积方法制备的不同 氨释稀度下制备微晶硅薄膜的徽结构，晶化和致密度等．讨论和比较了H在a—si：H膜和在 傲晶硅薄膜中键合形式和存在的差别。 二．实验方法 热丝化学气相沉积方法制备样品的条件为：钨丝温度n=2000℃，村底温度正一400℃， 99％。沉积过程中气体总流量保持不变。用的村底为7059玻璃、单晶硅和Al箔。样品组分由 俄歇电子能谱确定，样品结构由常规的Raman散射谱、x射线衍射谱和红外透射谱测定。 物理所正负电子对撞机同步辐射室进行的。x射线源为同步辐射光源(线准直光学系统)，波长 分别为0．154ran和0．16Grim。测量散射强度的小角散射仪为转角扫描系统，散射强度由计数 器记录。采用透射法测量散射强度。样品的微结构信息由敖射强度随散射矢量^一(48／A)蛐坩 ≈(2“／工)2e的变化关系来获得。其中A是x射线的波长，28是散射角。样品的散射强度 ★国家自然科学基金资助的课题 釜查星全璺璺生整堡茔垄金垫鱼圭墨 !!! ，“)根据以下公式扣除村底的吸收和散射并对样品厚度及入射光强Po等归～化而得[2]， 砌，=幽与纭掣等雩产业 Ⅲ (，)及村底(1)的吸收系数和厚度。 三．实验结果与讨论 散射峰蓝移，分别位于515．2cm～、515．2cm--I 程度的晶化。观察到散射峰的低能端呈现大小程度不同的“尾巴”，说明结构中还存在小部分非 晶相，薄膜是典型微晶硅结构。 图2画出了不同口样品的SAXS谱。，0)随散射矢量迅速下降的同时也随B的增大雨逐 渐降低。所研究的膜，其微空洞大小有一定分布，形状也不相同，故不能用Gu岫er公式来分析． 对这种不均匀的两相系统，在线准直光学系统中，敌射强度，(^)与微空洞所占时体积分数比 n满足下面的公式[3] k 口=ihZ(h)dh=g(aP)中j(1一砟) (2) 坦 丹 坦 茁 甚 翌 、一 _蠡 梃 罂 一 皤 毯 搡