非晶金刚石簿膜光电性质和场致电子发射特性的研究.pdfVIP

—羔业———————————————一 一 箜盎墨垒璺璺堡莲蓬生垄金垫逢塞苤 非晶金刚石薄膜光电性质及 场致电子发射特性的研究★ 余峻聪陈 军 邓少芝郑新国 许宁生++ (中山大学物理系，广州510275) 摘要 现象以来，众多学者对金刚石薄膜的场致电子发射现象的研究产生了极大的兴趣．非晶金刚石 薄膜则是近年来才被作为场致电子发射材辩来研究的。一日。它们不仅除具有金刚百薄膜的低 表面电子亲和势、宽带晾和稳定的物理化学性质等优点外·还具有能在低温条件下沉积、可沉 · 积面积大、表面光滑致密、不含氢、较容易实现掺杂等优点[6t”。因此，非晶金刚石薄膜也被认为 是制作场致电子发射冷弱极电子源的一种理想材料。 初步研究结果表明，在不同离子能量条件下生长的薄膜的光电特性存在眷明显的差别，而 光电特性的变化则对场致发射特性具有很大的影响p‘8】。因此，必须寻找出薄膜的光电性质对 发射特性的影响规律。这对理解非晶金刚石薄膜的场致电子发射机制，找出影响非晶金刚石薄 膜发射特性的主要因素，最终制备出发射效率商的非晶金刚石薄膜，是非常重要的。本文的主 要目的是介绍霾#7在寻找非晶金刚石薄膜光宅性质对发射特性的影响规肇方面的实验进展。 本实验中所分析的非晶金刚石薄膜是利用磷过滤真空弧法制备的。该方法的实验系统可 用图l来说明．薄膜的沉积是在本底真空度约为4×10“托的条件下进行的。通过在沉积系统 的阴极表面的触发扳上施加7～10kV的触发电压，使与触发极绝缘的石墨阴极(纯度约为 99．9％)表面放电起弧，从而产生高密度的等离子体．沉积系统装配有90。磁过滤弯管，目的是 滤去等离子体中的微粒及中性粒子．过滤后具有选定质量的离子被输送列样品室中，沉积在衬 能量，从而得到不同性质的薄膜。另外，为了获得非晶金刚石薄膜表面的微观结构，我们采用高 倍率的扫描电镜对薄膜的表面形貌图进行观察，目2是沉积在硅衬底上的薄膜的表面形貌图． 光能隙值日，并进行比较。不同薄膜在不同温度下的电导率是在不透光的真空室中用高阻计 ’ 前因子蚰。出此可推断出薄膜内载流子可能的输运机制。初步实验测得，在衬底偏压为100V 项资助项目． ★★通讯人：srsxrls@z叭．edu．cn 釜宣墨垒璺旦堡蔓鏖茎查金垫焦圭苤 !!! 数呈线性关系变化(图3)． TOTRIQ．mER=Mw∞i 。。。。J_-。。●。。。。。。。--。__●_-●。。。。。。一 图l磁过滤真空弧等离子体沉积系统简圆 周．2 j}晶金刚石薄膜表面形貌圈 一．一ul。．G—f}。I)(D)葶一 10001T(K-1) 图3薄膜电导随温度变化关系圈 薄膜的场致电子发射特性，主要包括I--V特性、开启电压、发射址的空间分柜以及电流 稳定性，是利用自制的一台包含“透明阳极成像技术”∞的场致电子发射特性综合分析仪∞测 量的． 根据不同离子能量条件下生长的薄膜的发射特性，结合相应的光电性质、表面形貌，我们 将讨论薄膜的性质对发射特性的影响规律的物理机制． ——一 —三丝—————————————一一 一 差窒堡垒圈星垡基塞茔盔全垫造塞基