对硝基苯腈薄膜超高密度信息存储研究.pdfVIP

对硝基苯腈薄膜的超高密度信息存储研究 时东霞张昊旭江鹏解思深庞世瑾 中科院物理所凝聚态物理中心北京真空物实验室 robonzonitrile上进行超高密 摘要采用扫描隧道显微镜(STM)在单体有机薄膜材料胛it 度信息存储的研究．通过在sTM针尖和HOPG基底上的薄膜之间施加电压脉冲进行信息点的写 八．信息点的大小小于Inm．信息点记录图案非常稳定．电流一电压(I-V)特征曲线表明信息 存储区域具有导电特·挂，而非存储区域具有高电阻特性．在PNBN单体有机薄膜上的存储机制 可能是电压脉冲引起的薄膜局域聚合． 关·t词单体有机薄黟起高密度信息存储扫描隧道显微譬 v V 1 引言 超高密度信息存储薄膜与技术的研究是纳米电子学的重要研究内容之一，是超高密度信 息存储器件的基础。扫描探针显微镜(SPll)技术具有进行小尺度表面加工的优势，因此越来 越多地用于纳米尺度的表面加工以及超高密度信息存储的研究【卜14]．以前，信息存储材料 主要采用有机复合薄膜．包括全有机复合薄膜和纳米粒子与有机物复合薄膜，例如m— nitrobenzal malononitrile／diamine 种有机材料以1：1配比在乙醇溶液中混合，再采用真空热蒸法共蒸得到配比为1：1的Ill— NI洲／DAB复合有机薄膜。在此有机物复合薄膜上得到了直径是1．3m的信息存储简单点阵， 对应密度高达lO”Bit／cm‘。这种复合有机薄膜材料具有电学双稳态特性，其中DAB是电子给 体．m-NIBMN是电子受体，在外场作用下，电荷由电子给体向电子受体转移．使得薄膜由高电 阻态向低电阻态转变，从而实现信息点的存储。但是，采用有机复合薄膜作为电学信息存储 材料，薄膜的制备比较复杂．配比难以精确控制；另外也很难得到高平整的复台薄膜，而高 平整度的薄膜是进行较大面积超高密度信息存储的重要条件。因此我们把注意力投向单体有 质进行超高密度信息存储的研究。PNBN的分子结构非常简单．并且分子中的--N02和--CN基 团均是强的电子受体。对这种结构简单的有机单体薄膜的存储特性的研究可以更好地理解存 储机制以及电子受体在存储中的作用。 2实验方法 高定向裂解石墨(HOPG)上制各单体有机薄膜．本底真空度是3×101Pa：材料沉积时．真空 nil]左右。 度保持在7×10。‘Pa．材料加热温度是70C。薄膜厚度是50 在PNBN单体有机薄膜上进行信息记录点的存储所用的仪器是大气下工作的扫描隧道显 STM针尖和HOPG衬底上的单体有机薄膜上施加电压脉冲，可以实现信息点的写入。 37l 3实验结果和讨论 如图l所示是PNBN薄膜的典型STM图像。可以看到，PNBN分子在两维方向规则排列， IlI口X0．518nm。 周期结构是0．427 如图2所示是用STM进行信息存储所得到的一个简单信息点记录图案。信息点的大小小 于l／ira，对应的信息存储密度大于10”bit／cm2。信息记录点图案非常稳定，在连续2小时 的扫描过程中，此图案没有发生可观察到的变化。用SnI测得的PNBN薄膜在信息记录点写入 前后的电流一电压(I—V)曲线表明．信息存储区域具有导电性，而非存储区域的电阻非常 大．具有O一1信息存储特性。可见．信息记录点的写入是由于施加电压脉冲所引起的薄膜的 电阻变化。 ． 圉l P删薄膜的典型STM图像．扫描范围： 图2 PNBN薄膜上简单信息存储点阵的sTM图 5．2mx5．2 m．PH喇分子在两维方向规则 像．扫描范围：25rim×25册．信息点的大小 nmX 0．518 捧列．周期结构是0．427 ilm．扫 小于1m．扫描条件：vb；0．4