宇航半导体器件辐照效应加速器模拟.pdfVIP

宇航半导体器件辐照效应的加速器模拟+ 甄红楼侯明东张庆祥刘杰 (中国科学院近代物理研究所 兰州730000) 摘要 本文饷单介绍了重离子辐照效应研究中的一个新的领域一单粒子效应研究．探讨了兰州重离子加速嚣在 这一研究中的应用． 一引言 。 近几十年来．随着航天和微电子技术的不断发展，空间天然辐射环境所引起的卫星电甍学 系统的失效越来越受到人们的广泛关注．继早期的总剂量效应之后，70年代束．人啊】又发瑰井 证实了由单个荷能重离子所引发的单粒子效应．作为高眙离子的一种新的辐照效应．人们黯雌进 行了丈量的研究．此后，随着电路集成度的不断提高，单粒子效应也变耨日趋复杂．瞬早期囊l尊 粒子翻转之外，叉陆续发现了诸如单粒子镇定、单粒子烧毁，单粒子橱击穿等等现象不同、辍制’ 各异的效应。由此所引发的卫星故障也越来越严重．美田韵TDRs—l地球同步轨道卫星姿控系统 的异常、日本的ERS—l卫星微波设备的突然中断以及中国“风云一号”卫星的飞抒放障均被证明 起囡于单粒子效应． 大量的研究和实践表明：单粒子效应严重干扰了航天嚣的安全运行，造成了报大的经济摄 失．为此．国际上开晨了大量的相关研究工作．田内是在八十年代后期，特别是继“风云一号” 卫星的飞行故障之后．在田家“八六三”计划的支持下进行摹粒子散皮研究的．目的是希望通过 对单粒子效应全面、系统的研究．找到半导体器件抗单粒子效应的屏蔽防护措施． 二兰州重离子加速器适合进行单粒子效应研究 单粒子效应的起因是重离子在半导体器件中引起的高密度的电离所形成的电流脉冲．虽然这 一效应是航天器在轨道运行中发生的，但大量的研究工作是在地面加速罄上进行的，尤其是对航 天器设计所需器件抗单粒子效应的评估，更是要依据地面实验的结果．兰州重离子加速嚣为这一 研究提供了良好的实验条件．这是因为成功的单粒子效应加速嚣模拟实验首先要求加速嚣能提供 较高的能量和尽可能宽的离子LET范围．兰州重离子加速器正是从这两个方面较好的满足了实验 的要求。 1离子的LET LET是一个非常重要的量．单粒子效应实验要求加速嚣能提供较丈的LET可变范圈。这是 因为：0翻转截面是LET的函数，为全面地获褥器件的单粒子效应特性．在实验中需不断的改 变LET，咀获得口一LET谱；o对于给定的器件．只有当LET超过某一阈值时，才能引发单粒 子敛麻．器件不同．翻转闽值也不相同． ‘圈隶自然科学基金(1977j058)厦中盈科学院“九五”重点项目(KJ952-S1-423) 实验中可通过改变离子种类来改变LET的值，也可以在不改变离子种类的情况下，通过改 变入射倾角扩人LET的范围。 2能量 能量的人小直接决定了离子在器件中的射程，从而决定了产生电离电荷所处的位置以及这 一电离电荷能否被器件灵敏结所收集。实验证明：只有当器件灵敏结所收集的电荷超过某一阈值 时才能引发单粒子效应。所以离子能量对于单粒子效应研究是至关重要的。 一般来说，器件表层至灵敏区有一定的距离，离子必须在材料中有足够的射程。才能到达 器件灵敏区升在其中沉积足够的能龄。器件的顶层越J孕，对于离子能量的要求也就越高。252cf 源模拟的某些局限性就在这里。其次对于有聚酰亚胺保护膜的芯片或对不开帽器件的检测，能量 较低的串列加速器也显得无能为力。 从模拟的角度来说，高能的重离子更为接近空间宇宙射线的情况，除浅层的单粒子效应以 外，还可以揭示深层的单粒子效应。 耋!兰趔重塞士加蕉墨堡垡的基王垄§i史数盟型塑!L垦!值 SFC SSC 离子 离子能量 Si中射程 Si表面 离子能 Si中射程 Si表面 (MeV) (“m) LET(MeW量 (1am) LET(MeV／mg／cm2) mg／cm2)(MeV) 垂直入射 600入射 ’2C 54．4 73．2 22 600 4049 0-36