刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状.pdfVIP

第 6卷第3期 热 喷 涂 技 术 Vb1．6．NO．3 2014年 9月 ThermalSprayTechnology Sep．，2014 刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状 张有茶 ，夏洋 ，贾永昌 ，张庆钊 2，王文东 ，刘金虎 ，王聪瑜 (1．北京美桥电子设备有限公司，北京 100022；2．中科院微电子研究所，北京 100029； 3．北京廊桥材料技术有限公司，北京 100089；4．北京科技大学，北京 100083) 摘要：干法刻蚀 (等离子体刻蚀1技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及微电子Ic制造工艺中的刻蚀腔室 内衬产生腐蚀。本文综述了国内外腔室防等离子体腐蚀用材料的发展历程与现状，从耐等离子体刻蚀材料、悬浮 液等离子喷涂技术和在线监测技术领域的发展展望了抗等离子体刻蚀涂层的未来发展趋势。 关键词：等离子体刻蚀；腔室内衬；悬浮液等离子喷涂；在线监测 中图分类号：TG174．4文献标识码 ：A 文章编号：1674。7127(2014)09—0004．05 D0I1O．3969／j．jssn．1674-7127．2014．03．004 ResearchStatusofChamberW allCoatingsforPlasmaErosion ZHANGYou．cha ，XIAYang，JIAYong．chang，ZHANGQing-zhao， WANGWen．dong ，LIU Jin．hu ，WANG Cong—yu (1．BeijingMeiqiaoelectronicequipmentsCo．，Ltd，Beijing100022，China； 2．InstituteofMicroelectronicsofChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China； 3．BeijingLangqiaoMaterialTechnologiesCo．，Ltd，Beijing100089，China； 4．UniversityofScienceTechnologyBeijing，Beijing100083，China) Abstract：Dryetching(plasmaetching)technologyisanimportantprocessforsemiconductorand microelectronicsmanufacturingprocess，whiletheplasmawillcorrodethechamberwallduringtheetching process．Thispaperreviewedtheresearchstatusofetchingerosionmaterials，andfuutredevelopmenttendencyof plasmaetchingerosioncoatingsfrom thedevelopmentofsuspensionplasmasprayingtechnologyandtheon-line monitoringsystem． Keywords：Plasmaetching；Chamberwall；Suspensionplasmaspraying；Onlinemonitoring 随着 半导体器件尺寸 的减小、液 晶显示 辉光放电方式，产生包含等离子、电子等带电粒 器 (LCD)和硅晶圆尺寸的增加 (由200mm增到 子及具有高度化学活性的中性原子与分子及 自由 300mm)，干法刻蚀技术 (等离子体刻蚀 )逐渐 基的等离子，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位 成为微米量级的半导体器件制备、微纳 (微米 、 与被刻蚀的材料进行反应，形成挥发性生成物而 0．1—100nm的材料)制造工艺和微电子制造工艺 被去除，从而完成图案转印的刻蚀技