GaN和AlxGa1-xN%2fGaN异质结高温性质的研究.pdfVIP

窜十日-★一代●-阜●I．^蕈●件和竞tl件擎木●试 GaN和AlxGal-xN／GaN异质结高温性质的研究 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义 “B京大学物理学院人工锻结构与舟观物理国家重点实骚室北京．1∞871bshen●pku．edu．cn) 着温度的开高而升高．戴流子浓度变化的幅度和CaN的位错密度存在正比关系，持续光电导的跃迁幅度也和Ⅻ的位错密度也存在 正比关系，说明位错相关的潍施主或者骼阱对Gat{在高温下的背景浓度有很大髟响．实验发现^1m．埘／GaN异质结中=维电子气的 浓度在皇温到250。c的范围内随着温度的升高而下降，然后随着温度的升高开始增加．前者主要是由于随着温度的升高， ^1舶驯Gd异质结的导带不连续减小引起的，岳者主要是由G州层背景载漉子浓度增加导致的．通过求解自治的薛定谔和泊梧方 程得到的二雏电子气浓度的温度关系和实验结果一致． 关键词iGaN；AI,C诅-舢aII异质结；位堵．珏Blh高温 培育基盘(批准号：705002)，和北京自然科学基金批准号；4062017) 1．引言 宽禁带半导体材料GaN具有大的载流子饱和速度和高击穿电场，基于GaP{的ALGa，，N／GaN 异质结由于存在强的自发极化和压电极化电场，．在A1占a。划／GaN界面易于形成高浓度的二维 大功率器件应用方面有较大的优势，成为国内外研究的热点“…。由于HEMT常常工作在高功率、 高温的条件下，因此器件在高温下的稳定性非常重要。除了肖特基接触和欧姆接触在高温下 的退化外，Gab{层的背景载流子浓度以及A1占al“／GaN中2DEG的浓度的变化都会极大的影响 到器件的性能。因此研究GaN和Al正at，ⅣGaN异质结在高温下的输运性质是十分必要的。 2．实验 实验采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)，以三甲基镓和氨气分别作为Ga源和N源， 以高纯Hz作为载气，在C面蓝宝石衬底上生长。首先。在530。c生长一层GaN成核层，然 后在i070。C接着生长2．2 m厚的非故意惨杂Ahta‰a拼层。高分辨X光衍射(XRD)显示晶体拥有良好的质量。样品被 切成5x5Ⅻnz的方块，磁控溅射Ti／Al／Ni／Au(25rm／120rm／45n=／50nm)四层金属形成范得 堡Hall测试图形，然后在850。C，Nz气氛下快速退火30s形成良好的欧姆接触。高温HalI 测量采用AccentHL5500霍尔测量系统加上Accent HL5590高温台。测试温度范围从室温到 500。C。安捷伦4155C半导体参数测试仪用来测量持续光电导(PPC)的电流，偏压为2v， 蓝光发光二极管用作激发光源。在PPC测量之前，样品在黑暗中保持5小时，以保证实验条 件的一致性。 3．结果和讨论 ，十■■●■∞●■÷■-俸．ttI_■l¨_#$●t ，-I毫搴200右年11月 ¨ ¨。 仙 ¨ ¨ 譬。毛，5荤杈譬茸馨h蜡馨 圈Ii吒a}j背景浓度和温度的变化曲线 圈2i-6aN的持续光电导变化曲线 图l显示了A，B，C三块i-GaN样品从室温到500。C的载流子浓度的变化随温度的关系。 i-GaN A，B，c三块样品在室温下的背景载流子浓度都在3xlO”cm-S左右。从图中可以看出， 的背景载流子随着温度的升高而升高，但变化的幅度却有很大差别。样品A的背景载流予浓 度随着温度的升高缓慢上升，而样品c的背景载流子浓度随着温度的升高变化最大。图2显 示了三块样品的PPC的激发和衰减过程。在光照之前通过样品的暗电流被归一化为1，曲线拟 合显示三块样品的衰减时间常数没有明显区别，但光电流的跃迁幅度有很大差别，样品A的 跃迁幅度最小，样品C最大。这说明三块样品中的深能级或缺陷属于同种类型，但能级或缺 陷密度存在很大差异。 eV，大于镓空位(忆)。最可能的施主是占 的理论计算表明n型G“中h的形成能大约是4 主，激活能在4一10ev范围内”1。但是上述施主都是浅施主，施主浓度低于5xlO”cm3时在室 温下大部分都已经离化了。因此在温度升高以后，它们对背景载流子