半导体中的自旋极化输运和自旋弛豫.pdfVIP

2@◎6需蒜羔裂黼蠕筹鬻 半导体中的自旋极化输运和自旋弛豫 杨文，常凯 一I】科院半导悻研究所超品格蛮验室，』匕女(∞镕912．∞％100083) *g 我m≈☆研究了稀m半导悼一维电f气在均匀，周期*制#磁场T∞E{《#*精t，＆Ⅸ体系的拽mf自《《m＆ n乎为$-Ⅲ日№臼勺自《＆化＆圭¨日＆m％z j匀qm％F，＆¨∞4☆”算根”№*#T宴№镕*，并发M电流的 自《撮m＆自m自镕“m*#．mⅡ改变《*、咆fm＆目碰mrm分．日H月节自％桎n＆∞大十∞Ⅲ自．n 雏周期月制№场T—nm＆m№HN＆*∞剪#，t费米速度P±自旋撮化，日“产生沿*ⅫA自∞日自旋*化电 m牢振荡阿案h拍额的节点位i敏盛地*赖r自±4=#机制女《∞电子的总自旋噼裂．掘¨＆现R存＆RSO[时的 新m观．＆mW究T8带kp微扰W论十∞☆E*目《．＆到TE出现∞雕wⅫ*障∞女法。#f8*k口m#4m， 我∞恬m d．疵j『】《从值tⅢ究7Roshba劈裂的参数(带隙、价*／P**m十均自场，m≈、十月r☆】∞镕赖，＆ n∞解析表选式q咀定性*#*☆t蚌《#*i．n¨＆m非单■的hshh自《镕g#gR DP自旋％埠}％费米 X女目#磋}导体自《m化辅A，自旋m豫bD徽扰Ⅱ№自旋gg。 1．引言 自旋电子学是--／]新必学科，它研究的魁伟常拢器件中引入电子的自旋自由度，以增强现有微 电子器件的功能，甚至产牛全新的自旋电子器件(如Datta-Des自旋场效应管)．这些器件具有功耗 小、集成度高等优^，斟此这一领域里的一些基牟问题，如自旋极化输运、自旋控制、自旋弛豫和 退相十等成为热门的研究课题。 2结果和讨论 在自旋极化输远方面，U前上流的方法是Ⅲ铣磁金属 誊．岛圳一0{ 或磁性半导体向半导体(成片低维结构)}土入n旋极化电r． 我们则从型论E研究了利用稀磁半甘体Cdl．Mn。Te杠卸lIl 一维IU干气(2DEG)产生自旋板化IE流的可能性。我们发现 均匀磁场下．电流自旋极化度很大，而戴漉子自旋极化度很 小．如期1所示。前者潭r朝道能级往均匀磁场下的自旋劈 ；；匿 裂导致赀米面处的态密度自旋极化度很大：当赀米能级扫过 自旋荫上(割下)的朗道能级时，电流丰要来自该朗道能级 上的电子被杂质散射，从l^J电流的自旋极化朝上(朝下)， 后者则由电于自旋劈裂与费米能最的相埘太小决定：由于自 旋劈裂远小于费米能釜，因而载流丫的自旋极化接近零。返 ￡2譬曼翟嚣：琵，。．。。州．m哪@跚Ⅲ。。 1鬯型兰坚竺茎兰堕i!塞 R苎里堡主兰兰变笙玺!望坚兰2 2@’◎ VDoctoralForumofChinaiII Ph 表明利用体系费米面处的态密度自旋极化，能产生较强的自旋极化电流。 接着，我们考虐CdhMn。Te扭卸11)维屯子气在维调制磁场(如图2中的插图所示．区域 I，11宽度为Ll-L#426衄，对应磁场强度为BI=o3T．如-_0 075T)r的低温(T-IK)自旋檄化输运性 质。幽2所示为白旋劈裂的电子盎密度，我们看到低能量处电子白旋胡上与朝F的各密度分开报明 显，而高能量处自旋朝上与朝F的忐密度几乎完全霞台。幽3所示为电导牢，载流子自旋极化麈P。、 电流的自旋极化度^随费米能级的变化。从插图可见，载流子自旋极化度随费米能级的上升而很快 尽管在E，2meV后lU子态密度的自旋极化已经趋于零。这是因为lU流不仪与费米而上的奋崭度有关， 而凡‘，费米【自J上的费米速度有关。睇2meV后IU流的自旋极化P】主要米源于币同n旋的费米速度不 州，即费米述度的自旋极化，而Er2meV时．载流子的自旋扳化对P，也有贡献。我们讳意到过左的 研究都集中在利用载流子自旋柱2化来产牛自旋极化电流，我们的这一发现意味着町以通过能带结构 的裁剪，产生自旋极化的费米速度，从而产生自旋{!乏化电流。 m∞ 誓 誊；犍，∥ ；· 5…8夕卅／二。