雪崩光电二极管APD直流偏压源设计.pdfVIP

科学之友 FriendofScienceAmateurs 2oo8~10~(30)国 雪崩光电二极管APD直流偏压源设计 韩红远，朱翔宇 (太原市电子研究设计院，山西 太原 030002) 摘 要：文章介绍了雪崩光电二极管APD的特性，设计了一种APD工作时的直流偏压源 电路，提出了温度变化时偏压源的修正方案。 关键词：雪崩光电二极管；直流偏压源；电路 中图分类号：TN29 文献标识码：A 文章编号：1000—8136(2008)30—0008—02 1 引言 路设计显得尤为重要。 3 可调APD直流偏压源 雪崩光电二极管 APD(AvalanchePhotoDiode)是一种能实 现光电转换且具有内部增益的高灵敏度器件。在以硅或锗为材 料制成的光电二极管的P—N结上加上反向偏压后，射人的光被 P—N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生 “雪崩”(即光 电流成倍地激增)的现象，因此这种二极管被称为 “雪崩光电二 极管”。目前，雪崩光电二极管(APD)作为一种高灵敏、能精确接 收数据和测量光功率的光探测器件广泛应用于光纤传感 、光纤 通信网络中，其工作电压不高，噪声相对较小，非常适合极微弱 光信号的探测。 2 APD雪崩特性 雪崩光电二极管(APD)在结构设计上已考虑到使它能承受 高反向偏压，从而在PN结内部形成一个高电场区。光产生的电 图1 可调APD偏压源电路 子或空穴对经过高电场区时被加速，从而获得足够的能量，它们 在高速运动中与晶体碰撞 ，使晶体巾的原子电离，从而激发出新 MAX5026是MAXIM公司生产的一种低噪声、升压型脉宽 的电子一空穴对，这个过程称为碰撞电离。通过碰撞电离产生的 调制DC—DC转换芯片，转换频率为恒定的500kHz。芯片输入电 电子一空穴对称为二次电子一空穴对。新产生的电子和空穴在 压 VCC范围宽(3V～11v)，输出电压摆幅大 (vcc～36V)，最大 高场区中运动时又被加速 ，又可能碰撞别的原子，如此循环 ，像 输出功率为 120mw，非常适用于构建低噪声APD偏置电源。其 雪崩一样的发展，从而使光电流获得了倍增。随着反向偏压Vb 内部的横向DMOS开关器件频率固定为 500kHz，且具有40V 的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值 的耐压极限。工作于间断的电感电流模式 ，工作时使用一个工作 时，光电流急剧增加 ，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压 于非连续电流模式的电感L，故意减慢开关速度，用来降低高频 Vbro 电压毛刺。开关速度的降低还能减小高频di／dt和dv／dt速率，最 雪崩光电二极管的雪崩增益M的大小与电子或空穴对有 大限度地减小了通过电流环、印刷电路板线条和元件管脚间的 关，其雪崩过程是一个复杂的随机过程，通常用平均雪崩增益M 电容向周围电路辐射或传导进来的噪声。 来表示。M与击穿电压Vbr、偏置电压Vb的关系可用以下经验公 如图1所示 ，APD偏压源电路是由PWM升压型DC—DC转 式来描述 ：M=1／(1一(Vb／Vbr))，其中n是与温度有关的特性指数。 换器MAX5026和铁氧体磁心电感线圈Ll等组成，电容c3、c4 从公式可以看出，APD的雪崩增益 M仅与其反向偏压Vb大小 和二极管D2、D3构成倍压电路 ，使 MAX5026输出电压可达到 密切相关 。因此，为了获得最佳的雪崩增益，APD的偏压控制电 71v。倍