铁电存储器1T单元电流输出特性模型研究.pdfVIP

25卷 第1l期 微 电子 学 与计算机 V01．25 No．11 2oo8年 11月 MICR0EU ONICS COMPUTER Nov~nber2o08 铁 电存储器 1T单元电流输出特性模型研究 张玉薇 ，邓 珂 (1广西工学院信息与计算科学系，广西柳州 545006；2广西工学院研究生处，广西柳州 545006) 摘 要：为了得到 了简单、准确的输出电流特性模型，依据传统的MOSFET电流模型的建模的方法，通过基于费米 势的电流密度分析，考虑某些方程在现有条件下的不可解性，通过对电流输出特性分析、综合，从理论上得到了易 理解的和MC~FET电流模型结构一致的铁电存储器 1T单元的输出电流特性． 关键词：铁电存储器；输出电流特性；器件模型 中图分类号：TN43．3 文献标识码：A 文章编号：1000—7180(2008)11—0157—03 ResearchonFerroelectricM emory 1T UnitID-VDCharacteristicsM odel ZHANG Yu～wei，DENG Ke2 (1DepartmentofInformationandComputingScience，GuangxiUniversityofTechnology，Liuzhou545006，China； 2PostGraduateStudentOffice，GuangxiUniversityofTechnology，Liuzhou545006，China) Abstract：TogetmoresimpleandsuitableIo—Vbcharacteristics，onthetraditionalmodelofMOSFETcurrentcharacter— istics，withanalysiscurrentdentistitybasing uponFemivoltage，accoutingtheanalysisnadSynthesisofID—Vocharacter— istics，theoreticalmodelsofferroelectricmemory1Tunitoutputcurrentcharacteristicswillbeagained，whichiseasilytin— dersmod ． Keywords：fermelectricmme ory ；outputcurrentcharacteristics；devicemodel 1 引言 有共同之处，也有其 自身的特点 2 基于准费米势的电流电压方程 基于传统的对半导体器件的建模和模拟的方 法，通过基本的物理方程推导，借鉴一些有用的经验 考虑到漂移 电流和扩散 电流机制 ，据准费米势 ， 和建模方法 【1-2]，对 电流输出特性进行了理论分析 电子电流密度和空穴电流密度为[3] 和模型改进 ，提出了更为简单有效的铁电场存储器 一 1T单元电流输出特性模型．该模型不但符合传统场 和 效应晶体管的特性表征，与经验模型相比更具有通 用性，而且易于仿真，仿真结果与实验 曲线吻合较 Jp— q‰ ． 好．由前人的研究可知：在相同的栅 电压 G和相同 积分得电流为 的极化历史的情况下，铁 电薄膜与非铁 电电介质起 相似的作用，其输出电流特性同样有相似的曲线．对