微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性的的研究.pdfVIP

维普资讯 第 24卷第 3期 压 电 与 声 光 V01．24N0．3 2002年 6月 PIEZOELECTRICS8LACOUSTOOPTICS Tn 2002 文章编号 ：1004—2474(2002)03～0229—03 微波退火法制备多晶硅薄膜 的电学特性研究 饶 瑞 ，徐重阳 ，曾祥斌 ，王长安 ，赵伯芳 ，周雪梅 (1．华 中科技大学 电子科学与技术系．武汉 430074；2．华中科技大学 激光技术国家重点实验室 ．武汉 430074) 摘 要 ：为实现 多晶硅薄膜 晶体管有源矩阵液 晶显示器 的实用化与产业化 ，低温 (600。C)、快速制备高质量 多晶硅薄膜 已成为研究热点。文 中将微波加热技术应用于金属诱导 a—Si薄膜横 向晶化工艺 中 ．成功实现 了低温快 速制备多晶硅薄膜。通过薄膜 电阻率的测试 ．分析 了多晶硅薄膜的电学特性。 关键词 ：微波退火 ；低温 晶化 ；多晶硅薄膜 ；电阻率 中图分类号 ：TN304．055 文献标识码 ：A Study on StructureandElectricalPropertyofP0lycrystalline Silicon Thin Film byM icrowaveAnnealing RAO Rui·，XU Zhong—yang ，ZENG Xiang—bin ，W ANG Chang—an ，ZHAO Bo—fang ，ZHOU Xue—mei (1．Dept．ofElectronicsScienceTechnology．HuazhongUniversityofScienceTechnology．Wuhan430074．China； 2．StateKeyLab．ofLaserTechnology．HuazhongUniversityofScience Technology．Wuhan430074．China) Abstract：Preparationofpolycrystallinesilicon thin film rapidlyatlow temperature( 600。C)becomeoneof thehotspots．owing tOtherequirementsofthepracticeandindustryinactivematrixliquidcrystaldisplay．Inthis paper．polycrystallinesiliconthinfilm wasrapidlyprepared atlow temperaturebyusingthemicrowaveheatingin themetal—induced lateralcrystallizationofa—Sithinfilm ．Theelectricalpropertyofpoly—Sithinfilm hasbeenstud— led byanalyzingtheresistivityofthethinfilm ． Keywords：microwaveannealing；crystaUizationatlow temperature；polycrystallineSiliconthinfilm ；resistivity 导体 的基本特性参数 。在文中，主要讨论 由载流子密 1 引言 度与迁移率共 同决定的一个重要材料 电学参数 ，即 多晶硅薄膜 晶体管 (poly-SiTFT)因其在大面 电阻率 。对于多晶硅薄膜 的电阻率来说 ，它与单晶硅 积 电子学 中，尤其是在 具有一体化驱动 电路 的有源 很不相 同，远 比单晶硅复杂 。多晶硅薄膜 的电阻率与 矩阵液 晶显示器 中的广泛应用而越来越引起人们 的 多晶硅薄膜制备过程 中的工艺条件有着