BaTiO-%2c3-半导瓷晶界电学结构及其对电性能影响.pdfVIP

BaTiO，半导瓷晶界电学结构及其对电性能的影响’ 姜胜林，周东祥，汪小红，龚树萍 (华中科技大学电子科学与技术系．瑚北武汉430074) 摘要；时主爱表面态能级分布与电性能关系进行 EfEG—E☆一‰ (1) 了研究，指出顿缺位，受主杂质厦吸附氧产生不同 ％=硎牟 (2) 深度的受主奄能版．提出了获得高性能BaIi03半导 瓷材料的告理能毂分布结构．为材料设计反工艺控 其中诉．为表面费米能级，岛为禁带宽度 制提供了理论措导．对材料H1CR效应研究结果指 (Ea≈3驯)，ER为体内费米能圾，吒为平衡态势 垒高度．K为玻尔兹量常数．r是样品的温度．^，c 出，NTCR效应(pt)与晶界的能毁分布密切相 关． 为导带态密度，”为体内自由电子浓度(迁移率 —=n托ln‰s)极化子在BaTioa中电荷运输中的性质 关髓词：主受表面态能级分布{BaTi％半导瓷；NTCR 效应 使得导带态密度基本上不变I‘1t通常近似等于点阵 中Ti格点的密度(≈1．1×1022咖4)。在室温附近． 】引言 PTCR生产中通常使用的施主掺杂物几乎完全耗尽． 困而自由电子浓度基本上为常数。即意味着费米能 BaTio，半导瓷中材料的半导化和晶界氧化是形级基本上是绝对温度的线性函数． 成PTCR效应的基础．BaTio，半导爵的半导化过程在低电场和低迁移串下求解双肖特基方程可得 可用下式表示： 到p与劈垒高度的羌系式11．9] BaTio，+xly“一Ba】，D，m0’唧．)q。或 BaTi03订泸呻Ba2+(珥5*TiⅦ‘。珥3+溉2h订“p刊H蛾)1嚷唧黪1㈣ BaTi％中电子的迁移牢约为O．5cm／v,stll·因而， 其中．旗总电阻翠，A是体电阻率t～是单位 BaTi03中的电子导点属于翳跃(hopconductivity) 长度晶界数，E为舟电常数．％是零偏压努垒高度， 机制。上述反应式形象地表明BaTi03的导电机制·％为施主密度． 电子可以从一个Ti位髋跃到另—个Ti位．从而产 当温度升高，舟电常数按居里——外斯定律急 生电导。俘获电子的Ti“则转变为Ti抖(或表示为剧下降： Ti4+，c。)，如果此时周围有复活电子能力更强的缺陷或 f ． C 杂质，则有可能形成电子陷阱-BaTio，半导瓷中的 。气一下； “) 电子陷阱与晶界氧化、Vh。和MnTi有关IHl．与此其中c和劝。别为居里——外斯常数和温度，其 相对应．在半导瓷的能带结构中形成相应的施、受 中c=1．2×l妒K．舟电极化率的急剧下降导致势垒 主能级，从而对材料的宏观电性能产生影响m。因此 的高度显著上升．因而总电阻率指数上升．随着温 研究晶界上杂质缺陷的能缎分布对PTCR效应的影度的上升，电阻事急剧上升至最大值；之后随着温 响．对进一步了解PTCR效应的作用机理有直接理度继续上升．可观察到NTCR效应．在这些温度． 论指导意义· 介电系数值达到平衡．表面费米能级几乎不变．则 体费米艟级艟温度的递减是很明显的，所以对于那 2实验 些表面能圾分布很尖锐的样品，可观