8%2f20μs冲击电流下MOV动态性能的仿真的研究.pdfVIP

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2015-07-27 发布于安徽
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中国电子学会敏感技术分会电压敏学部第十七届学术年会论文专刊 OV动态性能的 8／20ps冲击电流下M 仿真研究 ofMOVunder SimulationResearchon Characteristics Dynamic 8／20川s Current Impulse 姚学玲。杜志航，陈景亮西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 擅耍：本文建立了金属氧化物压敏电阻(Metal0xygen 对MOV冲击残压测量的影响规律，对相同预期短路电流10kA、20kA、30kA条件下的冲击残压进行了仿真研究，并结合测得的MOV的冲击残压越大；对于通流容量小的试品，当源阻抗RsIQ时。冲击残压随源阻抗的增加呈现急剧增加。因此，在对不同试品进行冲击残压标定和性能比对时，建议选用源阻抗较大(如10)以及源阻抗相同的冲击电流源。②不同预期短路电流下测试同一试品时，不同源阻抗冲击电流下测试的冲击残压差基本一致。关t字：8／20ps冲击电流．源阻抗，压敏电阻。预期短路电流，冲击残压，动态阻抗 researchresidual ofMetal currentwaveform Abstract：Tothe voltage OxygenVaristor(MOV)under8／20impulse different RLCcircuit，thesimulationcircuitmodelofMOVwas residual producedby impendence setup．The ofMOVwerestudiedunderdifferent currentof1OkA，20kAand30kA，andthe voltages impulse comparing with werecarriedtestMOVdifferenttest 30．2andICGtest experiments by systemincludingHaefelypsurger resultswerederived theconditionofsame short-circuit system．Theexperimental that：f1)At anticipating of for oftheresidual ofMOV．Forthesmall current．the impedanceimpulsecurrent．thehigher voltage larger ofMOV．whenthesource of currentcircuitislessthan1Q，theresidual