CCD器件总剂量辐射损伤剂量率效应.pdfVIP

178 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应 2 跃1’2王义元“2高博h 李鹏伟1’2’郭旗1任迪远1于 (1．中科院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011； 2．中国科学院研究生院 北京100083) 摘要基于线阵商用CCD器件，开展了叩07射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。 分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所 测量的CCD参数随7总剂量增加而逐渐衰退，高剂量率辐照下的器件损伤效应明显高于低剂量率的 器件。室温退火发现高剂量率辐照后CCD的不同参数恢复到与低剂量率辐照接近的水平，表明辐射 感生氧化物电荷是导致不同剂量率效应差异的主要原因。 关键词 商用CCDs器件氧化物电荷时间相关效应d)C州辐射剂量率效应 1 引言 电荷耦合器件(Charge-Coupled 高和动态范围宽等优点，广泛应用于图像采集、人工视觉和自动控制等领域。在空间技术领域中的 对地成像、观测、姿态控制和导航，高能物理试验装置中粒子径迹测量和各类核设施的安全监控等 方面CCD器件都是起着核心作用的关键器件。在上述领域，CCD需要工作在高能粒子辐射环境中。 高能粒子的辐射损伤会导致CCD器件的功能退化，严重影响系统的性能、寿命和可靠性。因此，CCD 辐射损伤研究对于保证上述工作在辐射环境中的电子学系统的性能、寿命和可靠性有重要意义。 通过CCD结构、工艺和驱动模式的改进来提高其抗辐射能力的研究也取得了显著的成果【g】。国内最 与加固方面的研究【101，也有在跟踪国外研究的基础上对CCD辐射损伤机理进行的讨论【11】等。研究 表明，CCD的电离辐射损伤主要表现为暗电流密度增加，功耗增大，平带电压和阈值电压漂移等方 面。由于采用了紧密排列的MOS电容集成结构，使得CCD不仅对空间中的质子和重粒子轰击而引 起位移损伤敏感，电离总剂量辐射效应也会使器件性能发生严重的衰退。空间辐射环境的剂量率远 远低于实验室研究和模拟试验采用的辐照剂量率，了解CCD器件电离辐射损伤的剂量率效应规律 和机理，是建立学科准确的其空间辐射效应模拟试验方法的基础。 本文采用60C吖射线对东芝TCDl209D线阵、两相CCD器件进行了1000Gy(Si)的总剂量辐照 和室温退火实验。给出了不同剂量率辐照下CCD功耗电流、输出信号波形，电荷转移效率以及光 ‘作者简介：李鹏伟(1983年)，男，四川江油人，硕士研究生，微电子与固体电子学业，研究方向为新型光电子器 件辐射效应及其损伤机理，目前在中科院新疆理化所从事CCDs器件的辐射效应及其机理研究。联系电话： 0991．3666785(办公室)． 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 响应灵敏度等参数随总剂量的变化和辐照后的退火规律。通过比较器件参数和波形在不同剂量率辐 照下的变化和退火规律，分析了CCD器件总剂量辐射损伤剂量率效应的机理。 2试验方法 2．1试验样品描述 拟移位寄存器组成的两相、单沟道阵列器件。其像敏单元尺寸为14／Jan长，14／tm高，中心距亦为 其后输出7个哑元和一个检测单元。TCDl209D的哑元包括三种不同的类型，一是没有对应的感光 结构的转移寄存器单元：二是光屏蔽单元；三是头部和尾部被丢弃的光敏单元。三类不同单元结构 不同，其输出波形的辐射响应反映的物理意义也不相同。 2．2辐照与退火试验 分别选取O．5和o．osc,y(Si)／s以及500ttGy(Si)／s三种不同剂量率对试验样品进行了总剂量 Gy(si)／s的辐照试验是在中国 为1000Gy(si)的60C吖射线辐照试验，其中剂量率O．5Gy和0．05 Il 科学院新疆理化技术研究所的水贮式60C03,辐射源进行。500G亨(Si)／s低剂量率辐照