低功耗与快速补偿的光电倍增管偏置电路.pdfVIP

第9届全目校电子学与校探澍技术学术年会论文集 低功耗和快速补偿的光电倍增管偏置电路 古中道董成富原振东 张思玲 (中国科学院近代物理研究所，兰州，730000) 本文主要介绍了由I臣体警化的光电倍增管僖量电路的研究·谖电麝具有功耗小·藿定可靠·输出脉冲上升 时间快．船量分并高．脉冲缱性好．恢复时闻快等优点． 关■调。光电倍增蕾僖量恢复时问低功耗晶体蕾化 1前言 在原子核衰变和原子棱反应过程中所放出的各种射线。人们用感官器官无法童接感觉到。 必须通过射线仪器来测量各种射线的存在，以及它们的各种性质，如涓量射线的强度，分析射 线的电荷、质量、能量．从而达到鉴别射线的种类等目的．浏量射线的仪器包括产生电信号的元 件部分和测量电信号的电子学仪器两大部分．在闪烁计数等应用中．光电倍增管就是其中一种 产生电信号的元件部分，光电倍增管是徽光测量．特别是极限徽弱光探测技术的重要探测器． 在高科技领域中，它有着及其重要的作用． 2基本原理 当光电倍增譬甩在高计数率时，经常会发生输出线性变差的问题，在这种场合下，用晶体 管来代替光电倍增管偏置的后级分压器用常规的电阻分压法，这种由分压器电流引起的输出 线性降低的同题可达到改善，由于光电流首先流人第1倍增极，然后由二次电子流人第z倍增 极等等，再从倍增极流进晶体管的集电极，其结果是发射极电位上升，基极电流和集电极电流 同时减小，此时，集电扳电流的减小差不多和流入光电倍增管的电流相当．因而。表面上是晶体 管供给光电倍增管电流．晶体管的级数要根据光电倍增管的使用条件来决定．由于csI(T1)晶 体的衰变时间由o．5呻和7坤两种时问常数构成，这对于—个一定幅度的信号，其总电荷远远 大于其他闪烁体通常给出的电荷．这样，光电倍增管对每个信号要传送较高的电荷输出，丽这 个要求对光电倍增管偏置提出了更高的要求．因此，不能应甩瞢通的Rc链偏置的电路形式． 3电路设计 根据光电倍增管的基本原理和在使用条件中的特殊要求，我们研制了如图l所示的晶体 管化光电倍增管偏量电路，它共有11个倍增极(A～Di。)，倍增极的电荷由电容G到cl。来 提供，电容又通过倍增极来放电．然后又由偏置电流厶对电容G～c。。进行尽快的充电。以维 持倍增极之间电压的稳定性和平衡，如果阳极和阴极之间加上1200V电压时，它要求阴极与 第1倍揎极问的电压必须为200V，在其他10个倍增极之间电压可平均分配为100v，由于最 大输出信号在阳极，所以电容ctz传送电荷最大，即Q-t—Q^，并且通过晶体管Tl。的导通由^ 40 电流来充电。以便总的偏置电流^流入cl，来很快弥补失去的电荷Q。。，然后晶体管Tn再次关 闭。电容就立即放电。以便达到K。。=^Rl-。阴极电流五由倍增极n～D--被放大，电容q～ cl，作为电荷源，电容c。～cI。通过晶体管T。～T。，的偏置电流来充电． 偏置电流的计算为^≥ R3R4R5R6R7 RB 趾砒R2 堕磐翌 2．7硷．．^为平均计数率，‘h为阳极 平均电荷． 电容cl-≥102Q一／Hz．‘k一为 阳极电荷最大值，H，为倍增极Dzz的 alQl。。lal。；I。b爹亭耄}隰 直流电压． D3D‘ 璐瑚讲DBD9 D10D11P K mm 电容cl。≥cl。／自。来决定．舶。为 输II 负高压 倍增极D。。的电流增益． ‘ 图1晶体臂化光电倍增蕾偏t电路 同样电容c．≥clo／自。得出． 如果我们想得到一个平均2．5V的阳极信号．就相当于电荷qk=55nc，并且具有i≤ 偏置电流^=85pA．图2所示为^为85越和2．5V阳极信号的晶体管化光电倍增管偏置的 倍增极Dli和阴极K～倍增极Dl(即n～D-)电压波形． 田2矗体管化光电倍增管偏量 图3Rc链光电倍增蕾偏置 ‘ 在晶体管化的光电倍增管偏置中。偏