封闭式热场对晶体纵向氧含量的影响.pdfVIP

(1) 于生长“小平台”边缘。。小平台”边缘热 (D)图6是晶体横断面的显示。 场不均匀，晶体生长速度过快，释放的结晶 开始析晶，析晶条纹较细，较平坦；(2)轻 热过多，使附近各处温度梯度不一样，造成 度析晶，析晶条纹开始弯曲变粗，开始出现 析晶。由于锑的分凝系数小，杂质向熔体中 位错；(3)较严重析晶，析晶条纹弯曲增 扩散。大部分杂质凝聚在晶体后部，因此严 大，位错增加；(4)严重析晶，析晶条纹纵 + 重的析晶，只在晶体生长后期才能发生，图 横交错，位错密布。 4也说明了这一点。 4结论 (B)从图4中可看到，枝蔓生长是从轻 对重掺锑硅单晶析晶机理的搽讨及析晶 度刭严重，再到轻度，再消失。这一过程说 条纹的曼示、观察，可看到，析磊是从“管 明晶体生长条件的变化可引起枝蔓生长的变 道”边缘开始，轻度析晶能髓晶体生长条件 化。因此生长条件的改善，可使析晶好转或 的改善而好转或消失，严重的析晶，只在拉 消失。 晶后期才会发生。因此，重参锑硅单晶的生 长条件要随着晶体生长相应作变化，一个稳 (C)图5是生长界面的显示。(1)正常 的生长界面。平坦光滑；(2)生长界面开始 定的热场和糨适应的拉速，能避免生长界面 不稳定，出现波纹状，最后呈栅栏结构； 局部温度过冷和杂质浓度过饱和．以致析晶 (3)较严重析晶界面，出在突出物，并于顶 不会过早发生，这对于提高重掺锑硅单晶的 部凝固；(4)改善生长条件，，析晶好转，趋 质量和成品率是有实际意义的。 于较平坦。 工屯 -rN弦Q、12。，j 封闭式热场对 量的影响 张向东 (上海硅材料厂，上海201617) Hot Zone)对晶体纵向氧含量的影 摘 要 本文主要研究封闭式热场(Close Hot Zone)进行了比较，再通过适当调节熔料功率、埚 响。并与敞开式热场(Open 位、埚转等工艺条件参数，拉翻出0150mm低氧硅单晶(氧含量：20—28ppma)。 1引言 的电阻率及其均匀性，而且晶体中的氧行为 在通讯、计算机等高新技术迅速发展的 与微缺陷有密切关系，硅片表面的微缺陷在 今天，电路、器件工艺随着硅片尺寸要求的 器件热氧化过程中形成的氧化堆垛层错会直 不断增大，对硅片氧含量提出了更高的要 接影响器件的成品率j为此国外客户大量需 求。硅中氧一方面在器件热过程中被用来吸 除硅片表面的重金属杂质即本征吸杂；另一 片。这就需要我们精确地控制cz硅单晶中 方面，硅中间隙氧形成的热施主会影响硅片 的氧含量及其纵向分布。 ·59· 2实验 为更加直观地反映封闭式热场对晶体纵 2．