受控聚蛮装置用强流负离子束系统.pdfVIP

受控聚变装置用强流负离子束系统m 王惠三 简广德 (核工业西南物理研究院．成都610041) 本文匍述了为莲应桉聚变装置对负离子一中性柬系统的需求而发展的强流负离予糟；[的丰簧潭剐．负离 子产生致损失机制．以及强流、高能负离子柬引出、加速系统的物理和技术特点．提出了进行艏f}{}Ic似的龟 离子棠系统方案及数值模拟研究的主要内容和初步结果． 英麓诃馈铯的。体积产生哩负离子源负离子引出、加速系统 I引言 在受挖核聚变研究中，已认识到聚变装置的稳态运行和等离子体芯加热是实现棱聚变功率jff：的 景艾键课题．而高能中性柬注入是进行稳态运行的无感电流驱动和在高密度-等离子棒内芯加热们R 有希望的手段”。j．由于负离子在102keV的能量下仍具有较高的中性转换散率．网此发展蘩了位离 子的巾性束注入器(N～NBI)已成为适应下一代受控核聚变装置要求的高能量、大功率巾性柬注入柏 必然趋势．负离子一中性柬系统最核心酌部分是包括负离子产生及负离子引出、加速的强流施离了啦 系统。由于负离子难以产生，易消亡，又有大量电子伴随于负离子柬中，使高能强流馈离子束景镜^：j技 术难度远较相应的正离子柬系统大．强流负离子束系统的技术关键是提高教率．这包括采取再种f{}璇 提高负离子产生率，减少伴随引出的电子流比例，降低负离子剥离损失，对柬中电子的育赦抑静l等．本 文描述了聚变装置用的典型强流负离子引出、加速系统的特点。提出了进行数值漩拟研究的m离了求 系统的初选方案，通过对负离子一中性束注入器的强流负离子柬系统进行预研．包括数值模拟研究．为 优化设计负离子一中性柬系统奠定物理和技术基础。 2负离子一中性柬注人器的强流负离子柬系统及其物理和技术特点 2．1聚变装置用强流负离子源E3,‘,s．63 与正离子相比。负离子的生成率低．且生成的负离子也易于被剥离电子而损失．冈此负离了源比 正离子源技术复杂，效率也较低。当前产生强流负离子束的两种主要源型是“表面产生(Surfacepro- duetion)”型和“{奉积产生(Volomeproduction)”型负离子源。在“表面产生”型敏源中．剞用元素的_j 离子或原子在涂铯的低选出功的负偏压电极表面上的碰撞反射或(和)解吸过程．通过电子捕茯竹换 成该元素的负离子，其转换率≤10％(涂铯层的厚度是影响转换率的重要参数之～、．丑钮离子肖较久 的初始横向热速度I在“体积产生”型负源中，利用振动激发的气体分子和冷电子(T，≤lcV)之问拜等 离子体内的离解吸附来形成负离子．负离子的产生效率远低于正离子的产生效率．且育强的同他旅效 应．但这些负离子温度较低(Tj≤lcV)，因而初始横向热速度较小。这两种产生负离子的方法哪神展 好仍不十分清楚，对于某些应用．这种或那种技术可有某一优点。对于聚变装置甩中性束注入器．“体 积产生”型负源具有明显的优点，这在于该灞f型结掏较简单，易放大，由于负离子的初始攒向热速度 小．使束光学性能优良等。 (D孵国袈自然科学基垒资助项目． 74 以日本为典型，开发的负离子一中性柬注入器用强流负离子源是将。体积产生”型的串列式多磁饭 会切场负源馈入铯，将负离子的“体积产生”过程和“表面(主要是等离子体电搬表面)产生”过凫Hf结 合的改进的“体积产生”型负源。它汇集了两种源型的优点．使负离子产生率、煎离子流密度(总流)得 以提高。隶中电子流的比例下降，同时保持了。体积产生”型负离子源柬初始发散小的优点．已建成的 系统都采用了馈铯运行的具有多磁极会切场的申列式“体积产生”型负源．都利用磁过滤器fcI给等离 子体栅加正偏压等措施来提高负离子产生额，减少引出柬中的电子流比例．只是放电室几何形状和磁 过滤器型式不同，对源的技术参数要求及相应结构亦有所差异． 2．2在。体积产生”型负离子源中负离子的产生与消亡机制“3 在串列式纯。体积产生”型负源中，放电室被磁过滤器分成两个区域：放电区和邻近等离子体栅的 形成振动激发的分子Ht“)、Dt(v)t Hl+。*—·Hl(v)+e．Dl+。*啼Dl(V)+e 由于磁过游器有足够的磁场阻止具有一定能量的快电子到达引出区．因此适当地调整放电参数 和磁过滤器磁场，可使放电区主要存在快电子，而在引出区主要存在由正、负离子和能量≤leV的冷 电子形成