氧化钡纳米棒制备及场发射特性的研究.pdfVIP

氧化钡纳米棒制备及场发射特性的研究.pdf

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氧化钡纳米棒制备及其场发射特性研究 崔云康1’2 张晓兵2,+ 雷威2 陈静2 狄云松2 王琦龙2 李驰2 1)南京工程学院数理部,江苏南京,210067 2)东南大学电子科学与工程学院,江苏南京,210096 摘要:采用水热法在ITO玻璃基底上制备了氧化钡纳米棒,以此作为场致电子发射的冷阴极材料。并对 材料进行了扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线粉末衍射(XRD)测试分析,揭示其表面形态和 晶体结构。同时将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极管场致发射结构,进行场致发射特性实验。 该二极管结构的开启场强为0.9 m,阈值场强为3.49 m;并且具有稳定、均匀的电流发射效果。 v/p v/p 实验表明,氧化钡纳米棒是一种优良的场致发射冷阴极材料,具有广阔的应用前景。 关键字:氧化钡;纳米棒;场致发射 1.引言 一维(1D)纳米材料以其优异的场发射性能成为近年来场致发射器件阴极材料的研究热点。经过大 量的研究,人们发现基于场发射阴极的电子源在微波器件、空间离子推进器、光源和x射线管等方面具 有很好的潜在应用前景u’4。。对于商业应用,如何提高场发射性能已经成为一个挑战问题。一般而言,材 料场发射性能和两个参数密切相关:功函数和场增强因子。国内外大量的研究工作报道了增加场增强因 子和降低功函数来改善场发射性能幽咱1。另一方面,氧化钡(BaO)是一种重要的II一Ⅵ族半导体材料, eV, 具有诸多优良性能,比如宽带隙、热稳定性高、机械强度大、抗氧化等。氧化钡功函数只有1.65 远低于目前流行的场发射材料:碳纳米管(5.0eV)和ZnO(5.3eV)。但是,据我们所知,目前还没 有关于氧化钡纳米结构场致发射性能的报道,氧化钡纳米结构场发射性能尚不清楚。 本文报道一种简单而有效的方法制备氧化钡纳米棒,并分析和讨论其场发射性能。实验结果对设计、 制备、优化场发射阴极具有参考意义。 2.实验 采用水热法制氧化钡纳米棒,ITO玻璃((20f//D)作为生长衬底。首先,ITO玻璃分别在去离子 水、丙酮、异丙醇中超声清洗。然后在烘箱中100。C烘干。通过喷雾热分解的方法在ITO玻璃表面制备 M的硝酸钡和0.02M的环六亚甲基四 一层10nm的BaO种子层。带有种子层的ITO玻璃衬底放到0.02 胺溶液中进行生长,种子层向下。生长温度为85。C,生长时间为8小时。然后取出样品,清洗、烘干。 ITO玻璃衬底上样品的微观形貌和晶体结构由扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射 电子显微镜(TEM)表征。利用生长的BaO纳米棒作为场发射阴极和印刷有荧光粉的ITO玻璃的阳极组 装成二极场发射结构。阴阳极之间的为1mill,发射面积为1cm2。场发射特性测试在真空度为10。4Pa的 环境下进行的。 图1典型的BaO纳米棒SEM照片((a)(b)为顶视图,(c)为斜截面图) 726 3.结果和讨论 l可以看出生长的BaO纳米棒表面光滑,每根纳米棒长度在4-5m左右,直径约70-100nm左右,长 IJ 径比在40—70范围。BaO纳米棒均匀的垂直于生长衬底,几根纳米棒沿生长方向会聚成一个尖端,这些 尖端均匀分布。 图2是制备样品的x射线衍射(XRD)图。从图2可以看到,除了ITO玻璃衬底峰(标☆)外,样 品所有的衍射峰都对应立方BaO结构,晶格常数为a=b=c=O.55nm,与粉末衍射标准联合委员会的文 Card 献值一致(JCPDSNo.01-0746)。XRD谱图中没有发现其他杂质的衍射峰,说明生长的样品中没 有其他杂质相存在。 1.n.Ⅲ一萱I|c暑ul 图2制备样品的X射线衍射(XRD)图(☆是ITO玻璃衬底峰) 图3(a)显示BaO典型的纳

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