双面硅条探测器的研制与测试.pdfVIP

第49卷第2期 原 子 能 科 学 技 术 Vo1．49，NO．2 2015年2月 AtomicEnergyScienceandTechnology Feb．2015 双面硅条探测器的研制与测试 孙立杰 ，林承键 ，杨 峰 ，郭昭乔 ，郭天舒 ，徐新星 包鹏飞 ，杨 磊 ，贾会明，马南茹 ，张焕乔 ，刘祖华 ，夏清 (1．中国原子能科学研究院 核物理研究所 ，北京 102413 2．北京科立兴光 电技术有限公司 ，北京 102413) 摘要 ：研制 了双面硅条探测器 。探测器灵敏面积为 48mm ×48Inm，厚约 300 1TI，结面和欧姆面 的硅 条互相垂直 ，均 由相互平行 、宽度相等 的 48条组成 ，每条宽 0．9mm、间距 0．1mill。对其 电气特性 (耗 尽偏压 、反 向漏 电流、条间电阻)和探测特性 (上升时间、能量分辨、条间串扰)进行 了测试 。在偏压为 一 15V时 ，各条平均反 向漏 电流小于 lOnA。对于从结面入射的 5．157MeV的 a粒子 ，前放信号上升 时间约 45ns，结面各条的能量分辨率约 0．6 ～0．7 ，基本无条 间串扰 ；欧姆面各条能量分辨率较 差 ，存在条 间串扰 。 关键词 ：双面硅条探测器 ；微 电子工艺 ；电气特性 ；探测特性 ；条间串扰 中图分类 号：TI 14 文献标 志码 ：A 文章编号 ：1000—6931(2Ol5)02—033607 doi：10．7538／yzk．20l5．49．02．0336 Developmentand Test ofDouble—sidedSiliconStripDetector SUNLi—jie，LINCheng—jian’，YANGFeng，，GUOZhao—qiao。，GUOTian—shu。， XU Xin—xing，BAO Peng—fei，YANG Lei，JIA Hui—ming ，MA Nan—ru ， ZHANG Huan—qiao ，LIU Zu—hua，XIA Qing—liang (1．DepartmentofNuclearPhysics，ChinaInstituteofAtomicEnergy，Beijing102413，China： 2．BeijingKelixingPhotoelectricTechnolog C0．，Ltd．，Beijig 102413，Chi”n) Abstract：Thedouble—sidedsiliconstripdetector (DSSD)wasdeveloped．Thedetector~S sensitiveareais48mm ×48mm andthethicknessisabout300um ．Both oftwo sides surfacesaredividedinto equaI48 stripswith width of0．9mm by oxideseparation of 0．1mm．Theelectronicperformance (fulldepletion biasvoltage，reverseleakagecur— rentand interstripresistance)anddetectionperformance (risetime，energyresolution andcrosstalk)weretested．Thereverse1eakagecurrentofeachstripiSlessthan10nA ． and therisetimeofpreamplifiersfor5．157M eV aparticlesisabout45nsunderbias voltageof一15V．Thejunctionsidestripsdisplayanenergyresolutionof0．6 一0．7 收稿 日期 ：20