氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响.pdfVIP

第 l7卷第 1期 功能材料与器件学报 Vo1．17．No I 2011年2月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Feb．．20l1 文章编号：1007—4252(2011)01—0046—05 氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光 电性能的影响 袁果，黎建明，张树玉，刘伟，闫兰琴 (北京国晶辉红外光学科技有限公司 北京有色金属研究总院，北京 100088) 摘要 ：采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备 了InO ：Mo(IMO)透明导电薄膜，分析 了不 同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光 电性能。结果表 明：不同氧分压下制备的 IMO薄膜具有不 同晶粒的取 向性；随着氧分压的增加 ，薄膜 的载流子浓度、载流子迁移率先增加后 减小；薄膜 的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势。在可见及近红外区，有氧气氛下制备的 1MO薄膜的平均透过率大于80％以上，并随氧分压的升高而增大。 关键词 ：掺钼氧化铟薄膜；氧分压；电学性能；光学性能 中图分类号：TB 文献标识码 ：A EffectofoxygenpartialpressureontheOpticalandElectrical propertiesofIM O thin films YUANGuo，LIJian—uring，ZHANG Shu—yu，LIUWei，YANLan—qin (BEIJINGGuojingInrfaredOpticalTechnologyCo．，Ltd，GeneralResearch InstituteforNonfenousMetals， Beijing100088，China) Abstract：Mo—dopedIndiumOxideThinfilms(IMO)werepreparedonk9glasssubstratesbyradiofre— quencyreactivemagnetronsputtering．Theeffectofoxygenpartialpressureontheopticalandelectrical propertiesofIMO thinfilmswasstudied．TheresultsindicatethatIMO thinfilmshayedifferentDref_eITed orientationatdifferentoxygenpartialpressure．W iththeincreaseoftheoxygenpartialpressure thecarri． ， erconcentrationandmobilityofIMO thinfilm firstlyincreaseandthendecrease butitsresistivityshows ， an increase—derease—increasetrend．TheaverageopticaltransmittanceofIMO filmsprepared inoxygen areover80％ inthevisibleandnearinflaredregionandwillincreasewiththeoxygenpartialpressurein— creasing． Keywords：Mo—dopedIndium oxidethinfilms；ox