硅基CdZnO薄膜的可见电抽运随机激射.pdfVIP

201 1年全国硅基光电子材料及器件研讨会 硅基CdZnO薄膜的可见电抽运随机激射 田野，马向阳搴，项略略，杨德仁 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 幸马向阳： mxyoungOzju．edu．cn 摘要：在重掺N型硅衬底上制备了Si02／ZnO／CdO／Si02双势垒器件。通过适当地热处理，在 进行测试发现，在较小的正向电流(此时硅衬底接负压)注入下，器件在紫光区内产生随机 激射；而当注入电流增大到一定数值以后，除了紫光区内的随机激射外，器件在红光区内也 产生了随机激射。研究表明，紫光、红光区域内的随机激射峰分别来源于低Cd、高Cd掺 杂下的Cd，ZnhO薄膜。 关键词：Cd。Znl-xO薄膜，硅，随机激射 1．引言 的随机激射峰分别来源于低Cd、高Cd掺 杂下的CdxZnl。0薄膜。 自从1998年H．Cao等人首次报道关 2．实验 于ZnO薄膜和粉末的光泵浦随机激射以 硅基Si02／ZnO／CdO／SiO，双势垒器件 后u】，ZnO便一直是随机激光研究领域的 器件的制作工艺如下：(1)用标准的RCA 最重要材料阱s]oCdZnO合金因其晶格常 清洗工艺清洗的11+100避片作为衬底， 数与ZnO相近且禁带宽度可调，所以被认 其电阻率约为5×10‘垭．cm。(2)制备Si02 为是比较有前途的减小ZnO禁带宽度的 溶胶，具体工艺见文献盯1。在硅片上旋涂 材料旧。目前关于CdZnO薄膜的光抽运及 一层SiO，薄膜，100℃烘干10分钟，在02 电抽运随机激光方面的报道还很少。主要 气氛下500℃热处理2小时。(3)利用射 是由于CdO在CdO．ZnO合金系统中的固 频溅射在SiO，薄膜上沉积CdO薄膜，衬 溶度很低(在热平衡状态下大约只有 底温度为300℃。(4)在CdO薄膜上沉积 2m01％)，所以很难利用简单的设备制备出 ZnO薄膜，衬底温度为150℃。在02气氛 高Cd含量的CdZnO薄膜嘲。而Cd较低 下750。C热处理1小时。(5)在ZnO薄膜 的熔沸点又使得制备基于高Cd浓度掺杂 上旋涂一层SiO，薄膜，100℃烘干10分钟， 的CdZnO薄膜电致发光器件变得十分困 在空气下500℃热处理2小时。(6)在sio， 难哺】。本文中我们利用溅射及溶胶法在重 膜上溅射约20nm厚的半透明Au电极， 掺 N型硅衬底上制备了 而在硅衬底背面上溅射约100rim厚的Au Si02／ZnO／CdO／Si02双势垒器件。通过适当 电极。 地后续热处理．在ZnO／CdO两层中实现了 Cd浓度渐变的Cd，ZnI．xo薄膜发光层。通