恒电位沉积Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.pdfVIP

第六届全固表面工程学术鲁截 兰，II 2006年8月 恒电位沉积Bi2Te3．ySey温差电材料薄膜 卜路霞王为‘ (天津大学化工学院应用化学系，天津300072) 摘要：采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3_ySey温差电材料薄膜，并 采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌，成分及结构进行了表征．结果表明，在舍 有Bi3+、}rre02+和se“的电沉积溶液中，采用电化学沉积的方法，可实现铋、碲、硒三元共沉积， Bi2TenTSe03化合物。 关键词：Bi2Te，≯白化合物；电沉积；温差电材料薄膜 0引言 在一定温差下，可将热能转换为电能的材料称为温差电材料，其热电转换效率的高低主要取决 于材料的本性。通常，用无量纲因子ZT来评价其性能。ZT值可表示为：ZT=Ta20／^，式中a 为塞贝克系数，o为电导率，^为热导率，T为温度。温差电材料的271值越高，其热电转换效率 也越高。由温差电材料制备而成的温差电池作为一种绿色能源，其最大特点在于它可从环境接受各 种形式的热能．包括各种辐射能、太阳能以及各种形式的废热等，并高效率地直接将其转变为电能 输出，且使用温度范围宽，寿命长，性能高度稳定。多年来，国内外一直致力于研究具有高ZT值 的温差电材料”“，以提高其热电转换效率，遥常采用对半导体材料进行掺杂的方式。目前，低温 范围性能最佳的温差电材料仍然为Bi2Te3掺杂化合物及其衍生物。相对于物理气相沉积法(PVD) 忉，电沉积方法制备薄膜温差电材料具有简单易操作、成本低，且可方便地通过调节电沉积参数以 及电沉积溶液组成来控制半导体温差电材料的掺杂浓度及结晶状态，获得理想的晶体结构及化合物 组成的优势。作者采用电沉积技术制备了Bi2Te3．，Se，温差电材料薄膜，并对其形貌、成分及结构进 行了表征。 1实验部分 1．1电沉积溶液的配制 将10．3mmolH2Te03(化学纯)溶于lmolHN03溶液中，完全溶解后，再加入10mmol的 Bi(N03h-5H20(分析纯)和lmmolH2Se03(分析纯)，充分搅拌溶解后稀释至lLa采用二次蒸馏水配 制溶液。 1．2阴极极化曲线和循环伏安曲线的测试 采用三电极两回路的测试体系，利用CHl660B电化学工作站，在室温下测试电沉积溶液的阴 极极化曲线。辅助电极为铂电极，参比电极为饱和甘汞电极，不锈钢基片(面积为lcrn2)为工作 电极。测试过程的电位扫描速度为0．1mVos一。文中所给电位均为相对于饱和甘汞电极的电位。测 试前将不锈钢片进行除油处理。 1．3BizTe-a．r．qey薄膜的形貌及结构分析 ESEM 采用PHlLIPS公司生产的XL30TMP型环境扫描电子显微镜(ESEM)及其所带能谱仪 国家自然科学基金资助项目(No．50昕1040)。 ‘通讯联系人·Emaihwwangg@vip．sina．com 第六届奎圈表面工租学术套韫 兰州 2006年8月 上对电沉积薄膜进行x射线衍射分析，选用c0靶，扫描速度为60．min～，扫描区间20。≤20≤110。； 电压：40kV；电流：40mA。 2结果与讨论 2．1阴极极化曲线分析 不锈钢基片在电沉积溶液中的阴极极化曲线测试结果如图1所示。可以看出，在电位为O．03V 左右时，开始出现阴极电流，表明此时开始发生铋、碲、硒的共沉积反应。随着电位向负的方向移 动，电流逐渐增大，电沉积速度不断增加。当电位负移至43．13V左右时，电流迅速上升，开始发生 积反应，反应方程式可用下式表示…： 图1电沉积溶液的阴极极化曲线 Cathodic cui-veofthe solutioa Fig．1 polarization elec仕odeposRing 2．2电沉积Bi21嗡≯e，薄膜的形貌及组成 薄膜的表面凹凸不平，结构疏松。结果表明，随着沉积电位的负移，电沉积制备的Bi2Te3．se，薄膜 的表面逐渐由平整变为粗糙，结晶状态由致密变为疏松。对．0．04V下电沉积制备的Bi2Te3．§e，薄膜 B