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技术论文TechnologyA嘣车!曼 IC越边‘F嫂会议
市场日新月异的需求。目前IC制造工艺以批处理工艺 表1新技术应具有的特性
为主，将来批处理工艺所占的比例将会很小。这是因 特征尺寸 lOOnm
元件集成密度 10loCm一2
为在70nm工艺线上，只能对单片进行处理。由于IC 工作温度 室温
制造工艺的极限限制，单片工艺将取代批处理工艺。 每开关功耗 10’3fJ
增益 10
(5)由于热力学原理，任何电路运行时都会产生
速度 100fS
热。晶体管电路运行时，结温度一般高于周围的温度。 可靠性 O．1FIT
在硅集成电路中，结温度可能比周围的温度高出
125～150℃。因此，高密度集成电路的散热能力(不
3新技术的需求
使用制冷器件条件下)非常重要。散热特性主要依赖于 正如引言中提到的，任何新技术要取代硅CMOS技
材料的热传导率。例如，砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)
术，必须能像硅CMOS技术一样支撑全球经济的增长。
的热传导率约为硅热传导率的一半，因而尽管砷化镓的 必须与目前的基础资源(材料、设备、人力等)兼
运行速度比硅快，但集成密度却比硅低很多。对有机半 容。目前新技术的研究可以分为两大类，(1)采用新的
导体材料，散热问题更为严重[引。 器件结构；(2)开发新材料。表1中列出了新技术应具
(6)数字电路是信息和通讯系统的载体。伽0S电路有的特性，表2提出了器件性能提高的可能途径[8】。
的噪声是抑制硅CMOS数字电路发展的主要因素之一。
(7)纵向CMOS晶体管的实现为研制1-2nm沟道长
4对现有新研究方向的评估
度CMOS晶体管提供了良好基础。由于可靠性及与工艺 目前已提出的有望替代硅CM0s的技术可以分为以
相关的一些问题，有机半导体纵向三极管尚不能替代 下几类：
硅CMOS【3。引。 (1)单电子晶体管[9】
(8)在封装领域，集成电路和封装工艺的联盟已成 近年来，对单电子晶体管(SET)技术进行了
为不可避免的趋势。即只有对芯片和封装同时进行设 广泛的研究。这种器件的工作仅依赖于少数几个粒子
计，才能解决高性能、低成本的消费类电子产品所面 (在开关或存储区中甚至可以只有一个粒子)。这种
临的问题。 器件目前的问题是：粒子数较少的器件的阈值比粒子
(9)单粒子器件在一定功率损耗时不能使错误概率 数较多的器件的阈值高：增益比常规要求的偏低。因
为最低的关键因素是统计涨落，受器件尺寸影响很 此，单电子晶体管短期内用于低功率一超大规模集成
大。由统计涨落导致的对器件尺寸的限制最终将成为 电路的可能性不大。
限制各种器件发展的主要因素[引。 (2)碳纳米管【lo】
在一根单独的碳半导体纳米管两端制作金属纳米
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