单芯MgB2超导带的制备和特性.pdfVIP

：!墼： 堕立垒璺塾塑皇三堡———————————．．兰羔 104：l 1986．17A：l505 R s J 【11]waRilewskjJ，ButlerR，HanlonE胁￡i[J】，1974， 时效处理对Ni．Ti．Ta形状记忆合金性能的影响 刘豇南1，马建录1，王正品1，吴光熙2 (1．西安工业学院，陕西西安710032) (2美国佛罗里达大学．佛罗里达迈阿密33199．美国) Ni。6Ti。ira．。合金进行时效处理后．有”。Ni，；沉淀相析出，并且产生沉淀硬化效应；含金的相变温度和硬化程度随着时效处理的参数 的币同而_不同；经适当的时教处理，骏台金不仅具有优越的形状记忆效应，而且可以达到最好的硬化教果。 关键词：H“i．Ta形状记忆合金；时效处理；沉淀硬化；相变温度 educⅡ 单芯MgBz超导带的制备和特性 白发现具有39K转变温度的MzBz超导体之后，人们很快便开始研究将它制作成能实用化的超导材料。到 目前为止，在所有报道的数据中，用先位法(ex 2K，零场下，外推的短试样临界电流密度为106 流密度。在4 A·cm。开发MgB：超导体的主要关键点在于，首 K 先要达到这种材料在接近它的上临界场(40T)的磁场中所具有的最大临界电流密度，另一关键点是确定在30 样和长试样的传输电流特性的实验结果。用先位法粉末装管技术制备r镍壳单芯MgB：超导带。将反应过的 mm，内径为6．0mm，长为100mm的金属管中。装管密度大约为1．3 MgBz粉装入外径为12．7 g-cm～，装粉后 的管经多道次的拉伸，不经中间退火，加工成直径为1．5mm一2．0mm的圆线。最后轧成4mm宽，O．35mm厚的 带材，超导填充因子为17％。这时，管中的粉末经冷加工达到较高的密度，M妒z超导带的临界电流密度已能在 4．2 转变温度L(约为30K)，使高温下的传输电流性能，或磁场下的传输电流性能大大下降。因此必须在900℃，Ar 气氛下进行最终热处理，主要目的在于达到原始的转变温度疋，部分恢复点阵畸变。首次用4．2K下传输临界电 mm)』临界电流测试是在 流测试方法对制备的MgB：超导体进行了评价。短试样(40mm长，电压引线距离约为10 法国格林诺贝尔高场实验室进行的，最高外场达到20T，磁场方向垂直于超导带。结果表明：传输临界电流特性 对热处理温度非常敏感，高场下导致高临界电流密度的最佳热处理条件与低场下导致高临界电流密度的最佳条 件是不一样的。例如，如果确定在低场下工作，那么最佳的热处理温度是920℃，如果考虑在高场下工作，那么可 以考虑降低热处理温度。热处理温度对不可逆线也有很大影响，如果选择的热处理温度合适，那么和参考曲线相 比，不可逆线可以向更高的温度方向移动。实验中所制各的最佳试样．在4．2K．1T场强下低场的载流能力大于 l 000A，相应的临界电流密度最少为4×105A·cm～。这项工作首次成功展示了绕成螺旋状和饼状的较长MgBz 300 超导带的临界载流能力。将1．5m长的MgBz超导带绕成螺旋状线圈在自场下通过了大约lA的临界电流， 比短试样的临界电流值大约低40％。这项工作最主要的研究成果是指出了低场应用和高场应用的MgB：超导体 具有不同的最佳热处理条件。