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· 72 · 材料导报A：综述篇 2014年 7月(上)第28卷第7期 磁场在晶体生长中的应用 狄晨莹，左 然，苏文佳 off_苏大学能源与动力学院，镇江 212013) 摘要 针对磁场在晶体生长中的应用，综述了近年来该领域数值模拟和实验研究的进展，包括静态磁场和动 态磁场的产生原理及其在晶体生长中的效应。分析了晶体生长过程中存在的主要流动。综述了晶体生长过程 中磁 场力对导电熔体对流、固液界面形貌和杂质分布的影响，重点分析 了磁场在直拉法单晶硅和定向凝 固法多晶硅生长 过程 中的应用，总结 了该领域 当前存在的问题及其发展趋势。 关键词 静态磁场 动态磁场 晶体生长 熔体对流 单晶硅 多晶硅 中图分类号：TG249．6 文献标识码 ：A Review onM agneticFieldAppliedinCrystalGrowth DIChenying，ZUORan，SUWenjia (SchooIofEnergyandPowerEngineering，JiangsuUniversity，Zhenjiang212013) Abstract Basedonthecurrentstudiesmainlyinvolvedintheprincipleofastaticmagneticfieldandanon-static magneticfieldandtheeffectsofama gneticfieldincrystalgrowth，thedevelopmentoftheresearchesonthenumerical studyandexperimentalresultsonthemagneticfieldapplicationsisreviewed．Incrystalgrowth，themainflow inthe meltisanalyzed，theeffectsofforceinducedbyamagneticfieldonmeltflow，growthinterfaceshapeandsolutedistri— butionoftheconductingmeltarediscussed．ThemagneticfieldappliedinCzochralskimono-siliconanddirectionalSO— lidificationmulticrystaUinesiliconcrystalgrowthisanalyzedparticularly．Theexistingproblem nowadaysandthede— velopmenttrendsinthisfieldarepointedout． Keywords staticmagneticfield，non-staticmagneticfield，crystalgrowth，meltflow，mono-silicon，multic— rystallinesilicon 0 引言 1 晶体生长过程中的熔体流动 大部分重要的半导体材料如硅、锗、Ⅲ一V族化合物、Ⅱ一 熔体的流动方式和流速主要取决于熔体 的受力情况、晶 Ⅵ族化合物以及许多氧化物都是从熔体中生长的。在晶体 体生长炉的结构 以及边界条件 。熔体流动的驱动力包括浮 生长过程中，熔体对流对晶体质量有着至关重要的影响。若 力、外部强迫力以及表面张力等，而抵抗(或保持)流动的则 坩埚壁面处熔体流速过高，坩埚壁面熔解的杂质粒子则会快 为粘性力和惯性力。这些力通常同时存在并相互作用。在 速进入熔体，如果杂质在熔体中分布不均匀，将使晶体 内产 不同的生长工艺和炉体结