寄生参数对SiC MOSFET开关特性的影响.pdfVIP

第 18卷 第 4期 上 海 电 机 学 院 学 报 Vo1．18NO．4 2015年 JOURNAL OF SHANGHAIDIANJIUNIVERSITY 2O15 文章编号 2095—0020(2015)04—0191—10 寄生参数对 SiCMOSFET开关特性的影响 范春丽 ， 余成龙 ， 龙觉敏 ， 赵朝会 (上海电机学院 电气学院，上海 201306) 摘 要：为 了研究高开关速度下寄生参数对 SiCMOSFET开关特性 的影响，以双脉冲测试 电 路为平台，借助于LTspice软件 ，探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对 SiCM0SFET 开通和关断时间，开通和关断损耗，电压和 电流尖峰的影响。结果表 明：R。对寄生振铃有抑制作 用，但 需要 以增大开关时间和开关损耗为代价 ；源极 电感L。具有负反馈作用，其对寄生振铃的抑制 也是 以增大开关时间和开关损耗为代价 ；漏极电感 L。和栅极 电感L。的增加都会使 电流和 电压尖 峰增大，L。的作用较 LG明显；漏源极电容 CDS是产生电压和 电流尖峰的主要 因素；栅漏极 电容 CGD 的大小决定 了漏源极 电压 UDS的变化速率 ；栅 源极 电容 CG主要决定 了器件 的开关延时时间和漏极 电流的变化速率 ，对寄生振铃影响不大。 关键词 ：SiC金属氧化物半导体场效应晶体管；双脉冲测试电路；寄生参数 ；开关特性 中图分类号 ：TM 564 文献标志码 ：A SimulationofParasiticParametersInfluenceon SiC MOSFETSw itchingPerfOrmance FAN Chunli， YU Chenglong， L0NGJuemin， ZHA0Chaohui (SchoolofElectricalEngineering，ShanghaiDianjiUniversity，Shanghai201306，China) Abstract：TostudytheinfluenceofparasiticparametersonSiCM OSFET switchingperformance underfastswitchingspeed，thispaperstudiesdouble—pulsetester．Parametersstudiedwithsoftware LTspiceare：turn-onandturn-offtime，turn-onand turn-offloss，voltageandcurrentpeaksofSiC M OSFET undertheinfluenceofparasiticparametersincludinggateparasiticresistance，drainparasitic inductance，gateparasiticinductance，sourceparasiticinductanceanddrainparasiticcapacitance，gate parasiticcapacitance，andsourceparasiticcapacitance．Theresultsshow thatlargerRGdecreasescur— rentandvoltagestressesattheexpenseoflongerturn-onandturn-offtime，andlargerturn-on and turn-off loss．ThesourceinductanceLshasnegativefeedbackeffect．Lsisarestraintoftheparasitic ringatthecostofincreasingturn-onandturn-offtime，andturn-onandturn-offloss．IncreasesofLD andLGbothcauseincreaseofcurrentandvoltagestresses，andtheinfl