第3章电抗式和霍尔传感器详解.ppt

* 高斯计就是特斯拉计。高斯计是采用霍尔原理，配以霍尔偏值电路，放大电路，AD电路，显示电路，定标后用来测试磁感应强度（磁场强度）的仪器． 在CGS单位制中，磁感应强度的单位是高斯，因此叫高斯计．在SI单位制中，磁感应强度的单位是特斯拉，因此叫特斯拉计． 他们的关系为：1T(特斯拉)＝1000mT(毫特斯拉)=10000Gs(高斯)　 总之，他们本质是一个东西，只是测量的单位不同而已，特斯拉单位太大，一般采用毫特斯拉单位，现在很多人都喜欢用高斯单位，感觉要直观一点 * 霍尔式转速传感器是利用霍尔效应的原理制成的。霍尔效应是指在一个矩形半导体薄片上有一电流通过，此时如有一磁场也作用于该半导体材料上，则在垂直于电流方向的半导体两端，会产生一个很小的电压，该电压就称为霍尔电压。当磁性材料制成的传感器转子上的凸齿交替经过永久磁铁的空隙时，就会有一个变化的磁场作用于霍尔元件（半导体材料）上，使霍尔电压产生脉冲信号。根据所产生的脉冲数目即可检测转速。 * * * 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为： UH=SHIBcos? * 1 元件材料 3.2.2 霍尔元件 霍尔元件的材料 1.金属材料不能用来制作霍尔元件。 2.霍尔元件宜用N型半导体（载流子浓度小、且迁移率大），如：锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料。不宜用P型半导体。具体使用根据具体应用场合和要求来选用。例如：一般测量指示仪表中，大多采用锗和砷化铟元件；作为敏感元件时，则采用锑化铟元件。 3.霍尔元件越薄（即d越小），KH也越大，所以一般霍尔元件的厚度d=0.1～0.2mm，薄膜型霍尔元件只有1微米左右。 2 霍尔元件的结构及基本电路 1.霍尔元件由霍尔片、引线和壳体组成。 2.霍尔元件几何形状为长方形，在薄片相对两侧上有两对电极引出线。一对为控制电流端，另一对为霍尔电势输出端。 3.霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。 电路中用H代表，后面字母代表元件材料，数字代表产品序号。 HZ-1元件：锗材料制成的霍尔元件。 HT-1元件，说明是用锑化铟材料制成的元件。 * 3 霍尔元件特性参数 (1) 输入阻抗和输出阻抗 输入阻抗Ri：控制电流进出端之间的阻抗 输出阻抗Ro：霍尔电极输出的正负端子间的内阻 (2) 温度系数 在一定磁场强度和控制电流作用下，温度每变化1 ℃时霍尔电势变化的百分数称为霍尔电势温度系数 （3）最大磁感应强度BM 上图所示霍尔元件线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯？ 线性区 （4）最大激励电流IM 霍尔电势随激励电流增大而增大，在应用中希望选用较大激励电流。 激励电流增大，霍尔元件功耗增大，元件温度升高，从而引起霍尔电势温漂增大， 每种型号元件均规定相应的最大激励电流，数值从几毫安至十几毫安。 以下哪一个激励电流的数值较为妥当？ 5μA 0.1mA 2mA 80mA 恒压 用稳压二极管VDZ获得基准电压，经电压跟随器A1加到三极管VT1上，使霍尔元件两端加上恒定2V电压。 特点：施加电压恒定不变，不平衡电压的温度变化小，但霍尔电流发生变化，输出电压 的温度变化大。 * 4 霍尔元件驱动和放大电路 （1） 驱动电路 恒流 用稳压二极管VDZ获得基准电压，通过霍尔元件的电流 由VDZ的电压和电阻 决定： 电路中，三极管VT1接在运算放大器A1反馈环内，可以吸收三极管 的变化，抑制特性随温度变化。 特点：即使霍尔元件的内阻随外部各种条件变化，但霍尔电流保持恒定，因此输出电压的温度系数变小。 * 霍尔元件输出端接NPN型三极管VT1和VT2上，VT1和VT2接成射极跟随器方式，对霍尔元件的阻抗进行变换，以便与后级信号处理。 特点：霍尔元件的输出端几乎不流经电流，可获得较大的霍尔输出电压，减小波形失真，有利于后级电路设计。 * （2） 放大电路 * 5 .霍尔元件电磁特性 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 * 3.2.3 集成霍尔器件 霍尔集成器件分为线性型和开关型两大类 1.线性型集成电路： 将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级。较典型的线性型霍尔器件如UGN3501、DN835、CS825等。 * 线性型霍尔特性 当磁场为零时，输出电压等于零；当感