第一章半导体中的电子状态-20150319程序.ppt

半导体物理 第一章 半导体中的电子状态 主要内容 § 1.1 半导体的晶体结构和结合性质 § 1.2 半导体电子状态与能带 § 1.3 半导体电子运动 有效质量 § 1.4 半导体的导电机构 空穴 § 1.5 回旋共振 § 1.6 Si、Ge、GaAs的能带结构 一、晶体结构 理想晶体是由全同的结构单元在空间无限重复而构成的； 结构单元组成：单个原子（铜、铁等简单晶体）、多个原子或分子（NaCd2，1192个原子组成最小结构单元；蛋白质晶体的结构单元往往由上万个原子或分子组成）； 晶体结构用点阵来描述，在点阵的每个阵点上附有一群原子； 这样一个原子群成为基元； 基元在空间重复就形成晶体结构。 基元和晶体结构 晶胞与初基晶胞（原胞） 三维点阵的类型 闪锌矿晶体结构 纤锌矿晶体结构 § 1.2 半导体中的电子状态与能带 电子的共有化运动 ——原子组成晶体后，由于相邻原子的“相似”电子壳层发生交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上，因而，电子将可以在整个晶体相似壳层间运动，这种运动称为电子的共有化运动。 电子的共有化运动示意图 3. 能带的形成 两个原子靠近时，电子运动将重叠。这时泡利不相容原理不允许一个量子态上有两个电子存在，于是一个能级将分裂为2个能级 能带的形成 导带与价带间的能隙（Energy gap）称为禁带（forbidden band）.禁带宽度取决于晶体种类、晶体结构及温度。 能带中能量不连续, 当原子数很多时，导带、价带内能级密度很大，可以认为能级准连续 每个能带中的能级数目与晶体中的原子数有关 能带的宽窄由晶体的性质决定, 与所含的原子数无关 半导体（硅、锗）能带的特点： 半导体（硅、锗）能带的特点： 存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带 低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。 3.半导体电子状态与能带 微观粒子具有波粒二象性 波函数——描述微观粒子的状态 薛定谔方程——决定微观粒子运动的方程 晶体中电子的波动方程 电子波函数 能带中电子能量的分布 不同k状态的电子具有不同的能量。求解晶体中电子波动方程，可得E(k)~k关系曲线。 布里渊区与能带： 求解一维条件下晶体中电子的薛定谔方程，可以得到图所示的晶体中电子的E(k)~k关系，虚线是自由电子 E(k)~k关系。 （2）E(k)=E(k+n/a)，即E(k)是k的周期性函数，周期为1/a。因此在考虑能带结构时只需考虑－1/2ak1/2a的第一布里渊区就可以了。 推广到二维和三维情况： 二维晶体的第一布里渊区 －1/2a(kx，ky)1/2a 三维晶体的第一布里渊区 －1/2a(kx，ky，kz)1/2a （3）禁带出现在 k=n/2a处，也就是在布里渊区的边界上 。 （4）每一个布里渊区对应一个能带。 能带中的量子态数 一个能带中有多少个能级呢？因一个布里渊区对应一个能带，只要知道一个布里渊区内有多少个允许的k值就可以了。 对一维晶格，利用循环边界条件 Ψk(L)=Ψk(0)， L=Na N是固体物理学原胞数，代入布洛赫波函数得到 K=n/Na=n/L (n=0，±1，±2…) 因此波矢k是量子化的，并且k在布里渊区内均匀分布 ，每个布里渊区有N个k值 。 推广到三维 绝缘体的禁带宽度：6~7eV 半导体的禁带宽度：1~3eV… 半导体导带中E(k)与k的关系 定性关系：如图 定量关系： E(k)函数 加速度 a 有外力F作用于电子,在dt 时间内, 电子位移了ds 距离 外力对电子所作的功等于能量的变化,即: §1.4半导体的导电机构 空穴 1. 载流子的产生 在右上图中，A点的状态和a点的状态完全相同，也就是由布里渊区一边运动出去的电子在另一边同时补充进来. 正反向电子数目相等，所以满带电子即使存在电场也不导电。（电流＝0） 但对于右下图的半满带，在外电场的作用下电子的运动改变了布里渊区内电子的分布情况和能量状态，电子吸收能量以后跃迁到未被电子占据的能级上去了，左右不再对称。正向电子数目多于反向电子数目。因此半满带中的电子在外电场的作用下移动形成电流。