1～89+GHz混合宽带负反馈放大器.pdfVIP

2005。全国微波毫米波会议论文集 1～8．9 GHz混合宽带负反馈放大器 李游1要志宏2徐军1高长征2郝景红2 (1电子科技大学物理电子学院，成都，610054) (2中国电子集团第十三研究所，石家庄，050051) 摘要：本文将报道一种l～8．9GHz宽带负反馈放大器的研究结果。该两 级放大器利用砷化镓高电子迁移率晶体管制作，PHEMT栅长0．25UBl、栅宽250 um。单电源供电，直流电压+5v，带内增益12。5dB，增益波动小于±idB， 输入输出驻波低于2．4：1。ldB压缩点输出功率可达最高ii．3dBm，饱和输出 GHz。 dBm，其3一dB增益带宽已达到0．9～9．i 功率最高可达13．5 关键词：微波集成电路；宽带负反馈式放大器；鹰晶型高电子迁移率晶 体管 1．引言 随着MMIC技术的迅猛发展，GaAsHEMT越来越被广泛地应用到宽带通讯系 统当中，相关的研究报道大量涌现，工作频率也已经将Dc至Ka波段全部覆盖。 虽然，MMIC产品在成品重复性、微封装以及性能方面都具有传统混合电路无法 比拟的优势，但是，在多倍频程宽带放大器的实际设计中，仍然存在很大的困 难。首先，MMIC多选择行波式电路作为基本的拓扑结构【1】～[31，往往集 成多只GaAs器件，电路结构复杂，研制周期较长，制作成本比较高：同时， 由于成品对一致性的要求，电路设计还受到器件模型提取精度及加工条件的严 格限制，使得MMIC设计难度大大增加。从电路形式上来看，行波式电路具有良 好的宽带特性，可以比较容易地将频带扩展到几个倍频程以上，但频带低端其 增益较低，功率损耗很大；平衡式电路，虽然可以为放大器提供很好的噪声系 数和电压驻波比131～141，可是电路中使用3一dB耦合器造成电路体积和制 作成本的增加，而且耦合器的带宽通常只能达到1个倍频程。负反馈技术不但 m 薪卜 《 } 3 卜弧l 午姻¨¨，H 尊罨辟， 图(I)负反馈放大器电路拓扑图． l Theschematjcofthebroadbandfeedback Figure amp]ifier 740 2005+全国微波毫米波会议论文集 可以有效地避免以上问题，为放大器提供高稳 需要通过源极反馈支路进’步调节。C，。是栅 定的宽带特性，其设计灵活性大、费用低的特 漏隔直电容，通常在薄膜电路上，它的焊盘所 点，更有利丁混合式电路的实现。虽然与单片 占面积比较人，会引起反馈相位发生偏移。 电路相比，混合电路虽然在大规模集成度和工 上。，C_和cn。可以起到调节输入、输出匹 艺精度h有所不及，但在现阶段，做为微波单 配的作用。 片电路的对应形式，无论在商业领域还是军事 随着工作频率的升高，PHEMT寄生参数