L波段多注速调管旁轴电子光学系统的计算机模拟.pdfVIP

L波段多注速调管旁轴电子光学系统的计算机模拟 王树忠∞丁耀根① (①中国科学院电子学研究所，北京，100080) (②中国科学院研究生院，北京，100039) 摘要：本文利用三维电磁场计算软件MAFIAn1对L波段100KW多注速调管的多注电子光学系 统进行了模拟计算，通过编写宏程序使MAFIA可以计算旁轴电子枪的情况，通过计算给出的磁场 分布，分析磁场的差异对电子轨迹的影响，由此建立了一套进行多注电子光学系统模拟的方法， 对多注速调管电子光学系统的精确模拟和优化设计具有指导意义。 关键词： 多注速调管三维电子光学MAFIA 引言：多注速调管具有多个离轴的电子注通道，离轴电子注通道内聚焦磁场不具有轴 对称性。径向磁场Br的存在影响电子注的聚焦，使电子注通过率变差，特别是对高 平均功率和连续波多注速调管，过多的截获会导致管子热变形甚至烧毁，因而需要发 展三维计算方法，对于多注速调管的电子光学系统进行精确模拟和优化设计，提高电 子注的通过率。 本文使用全三维电磁场软件MAFIA模拟L波段100kW多注速调管的多注电子光学 系统，分别模拟了三维磁场和电子轨迹，给出了电子注通道处于轴向不同位置处磁场 分布的差别，分析了这些差别对电子轨迹的影响，由此建立了多注速调管多注电子光 学系统的三维模拟方法。 1．电子光学模拟的基本理论 在静态电磁场的情况下，强流电子光学的基本方程组为心1 AU：一旦 (1) ￡ V×(吉V×A)=歹 (2) (3) 堕=已往+矿×豆)dt 、 7 V·(矽)=0 (4) 式中：￡为介质介电常数，Ⅳ为介质磁导率；豆=一VU为电场强度；P为空间电荷密 度；A为磁矢位；B为磁感应强度；J为电流密度；mo为电子静止质量；e为电子电量： V为电子速度。式(1)用于求解空间电位；式(2)用于求解磁场分布；式(3)用 丁求解上述分布下的电子运动和轨迹方程：式(4)用丁求解空间电荷密度。方程(1≯一 (4)是相互制约的。要求解电位U就要知道空间电荷密度P，而P和电子运动有关， 电子运动状态又取决于电位U或电场E。 使用MAFIA进行电子光学模拟包含两个步骤：第一步是求解S模块(静态求解器) 357 给出空间静电场和静磁场的分布；第二步是由TS模块(PIC模块)对给定初始静电 场、静磁场(由S模块加载)和粒子初始条件(位置、速度、能量)进行粒子模拟计 算口1。 在空间电荷限制发射条件下，阴极发射电流密度满足球形二极管的 Chi id-Langmuir定律。 ‘，；=2．335i1百U?／2 其中口?=1+1．6xJRk+2．06(x,／Rk)2，Xi为第i个球形二极 管阴阳极距离，R为阴极面曲率半径，u；为阴极发射面 与阴极表面的电位差。对泊松方程自洽求解直到阴极电流 发射达到稳态。右面是使用mAFIA模拟空间电荷限制发射 的流程图。 图1Mafia空间电荷限制发射 模拟流程图 2．三维磁场的模拟 L波段i00千瓦多注速调管采用均匀电磁聚焦方式，聚焦系统由7个主线包和1 个反线包构成。反线包的作用是增加阴极表面磁场，从而增加电子注的刚性。进行初 步设计时采用二维结构(如图2所示)，给定每一个线包横截面的电流密度，可以计 算整个区域的磁场分布。二维结构的不足之处在于它只能计算轴对称结构，要计算上 下磁屏有多个电子注通道以及输出磁屏开口等因素，就必须进行三维模拟。图3分别 显示了位于中心，r=lOmm和r=18．5mm三个通道内的径向磁场的分布。径向磁场数值 小于1Gs，轴向