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快速退火诱导FePt纳米颗粒有序化的研究· 贺淑莉1．刘丽丽1，李养贤2，李兴华2，姜宏伟1 l首都师范大学物理系 北京 100037 2河北工业大学材料学院 天津300130 随着磁记录密度的不断提高，磁记录的单元变得越来越小，为了保证较高 的信噪比，晶粒尺寸也要求越来越小。由于热扰动的影响，当铁磁材料的颗粒 尺寸减小到几个纳米时，就会出现超顺磁现象。为了避免超顺磁的出现，材料 需要大的磁晶各向异性常数。L10．FePt以其高的磁晶各向异性能、高的矫顽力 以及优异的化学稳定性而成为未来高密度垂直磁记录介质的候选材料之一【141。 无论用物理气相沉积法(PVD)还是化学自组装法得到的制备态FePt薄膜大多为 温度较高时，FePt颗粒容易聚集长大，不利于磁纪录【5】。在用PVD法制备Fen 薄膜的研究领域中，人们尝试了基片原位加热、离子辐照等多种方法降低FePt 薄膜的有序化温度16，7】，并取得了较大的成功。而在降低化学自装FePt薄膜有序 化温度方面，研究工作报道的较∥8～。本文对化学自装FePt薄膜采用快速退火 的方法得到L10．FePt，并研究退火时间和温度对薄膜微结构的影响。 本文采用Sun[10】提出的高温液相合成法制备出直径为4rim的FePt纳米颗 粒，然后用油酸和油胺对FePt颗粒进行表面修饰，以备涂膜。用氧化的单晶硅 片做基片，先在硅片上涂上一层PEI功能层，然后再涂上一层表面修饰后的FePt 1400 于氩气气氛下进行快速退火5．30秒，用日本理学DMAXX射线衍射仪研 究颗粒及薄膜的物相结构。 根据我们前期的研究工作，选择将FePt薄膜在9500C退火5．30秒，退火 后薄膜的X射线衍射图谱如图1所示。由图l可见，FePt薄膜在9500C退火5 峰明显强于(200)峰，表明FePt颗粒在有序化过程中出现了一定程度的择优取 向。当退火时间继续增至20秒和30秒时，Llo-FePt晶体中的择优取向消失。 由此推断，FePt薄膜经高温短时间退火后，可能会形成具有一定程度的择优取 基金项目：北京市教育委员会科技发展计划面上项目(项目编号：KM200610028004)． 通讯作者l 贺淑莉 向L10．FeFt相，因此，有必要继续提高退 火温度同时缩短退火时间。 图2为FePt薄膜在10000C退火3、5、 lO秒后的X射线衍射图谱。当退火时间为 5秒时，(002)峰强于(200)峰，表明晶体中 出现了择优取向，退火时间增至10秒，(001) 峰明显增强，表明晶体中的择优取向程度 细f。、 在增加。， 图1翟篙篓秦瓣5。。秒 20(o) 20《o) 图2 FePt薄膜在10000C退火3．10秒后l图3FePt薄膜在1050。C退火3．7秒 的x射线衍射图谱 后的x射线衍射图谱 3 为FeR薄膜在10500(2退火3、5、7秒后的X射线衍射图谱。当退火时间为5 秒时，晶体中出现了择优取向，退火时间增至10秒，晶体中的择优取向程度增 加。Fen薄膜经高温短时间退火后，会出现一定程度的择优取向。 参考文献 1：2737-2739 Tram．Magn．，1995，3 【l】LuoC只Sellmy玎DJ．叨．IEEE Chen S M，LiuJ只Sun (21 H．[J1．J．Am．Chem．S∞．。2004，126 XW：Liu 【3】Wu C，LiL，啊aI．川．J．Appl．Phys．，2004，95：6810-6812 ct 【41JeyadevanB，Hobo人UraKawaKa1．【刀．J．App]．Phys．，2003，93：75