γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析.pdfVIP

第 26 卷第 8 期 强激 光 与 粒子 束 Vo l. 26 , NO . 8 20 1 4 年 8 月 HT G H POWER LASER AND P A RTT CLE BEAMS Aug . , 2014 γ 辐照前后多栅 NMOS 转移特性曲线 交叉现象机理分析怜 杰1 . 2 . 3 敏l . 2 . 3 ， 潘立丁l ， 2 . 3 ， 石瑞英l . 2 . 3 ， 龚 刘 (1.四川 大学物理科学与技术学院微电子学系， 成都 610064 ; 2. 四川大学辐射物理及技术教育部军点实验室，成都 6 10064; 3. 四川大学物理科学与技术学院， 微电子技术四川省重点实验室，成都 6 1 00(4) 摘 要: 在研究 0. 5 11m 多栅 NMOS 场效应管 y 辐照总剂量效应实验时，发现部分多栅 NMOS 器件辐 照前后的转移特性曲线出现交叉现象，相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设: 部分多栅 NMOS 在 γ 辐照 实验过程中各栅极受到剂量不均句的辐照，导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。 计算机仿真结果表明 : 受到剂量不均匀的辐照后，多栅 NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致，使各栅极 阔值电压不同步漂移，导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。 通过仿真验证能够说明，所提出的假设合理地 解释了实验中的现象。 关键词: 多栅 NMOS; 转移特性; 不均匀辐照; 总剂量效应; 计算机仿真 中图分类号; TN386 . 1; TP39 1. 9 文献标志码: 八 doi : 10. 1 188-1 / HPLPB20H26 . 08 1003 金属-氧化物-半导体CMOS)场效应管辐照总剂量效应已被广泛研究，辐照总剂量效应在较厚的栅氧化层 中感生的陷阱电荷以及硅-二氧化硅界面处感生的界面态电荷会导致MOS 器件电学特性退化[ 1 斗。 随着 MOS 器件尺寸的缩小，薄的栅氧化层对总剂量辐照的敏感度降低，Wang Jing 等人认为深亚微米情况下， 辐照诱发 多栅 MOS 晶体管器件泄漏电流增加的主要原因是栅极指数增加导致泄漏电流路径的增加。1 。 有研究表明， 不同栅结构的 MOS 场效应管辐照总剂量效应受到栅极边缘效应以及寄生效应的影响而有所不同， 如 H 形栅 和环形栅[;-6J 等。 近年来，对多栅 MOS 场效应管的研究也有了新的进展，如:增加栅极个数以改善 MOS 器件 亚阔区特性和频率特性的 ，非平面三栅 MOS 的总剂量效应仿真ω等; 同时，对 MOS 场效应器件辐射效应的数 值模拟研究也有了进一步的成果[9J 。 然而，尽管人们对 MOS 场效应管辐照总剂量效应中的亚阔区漏电流、阙 值电压漂移以及栅极边缘寄生效应研究已经获得了大量实验和理论成果，多栅结构 NMOS 器件γ 辐照效应实 验中发现的辐照前后转移特性曲线交叉现象并未得到合理解释。 本文针对这一现象进行了实验分析和计算机 仿真，解释了辐照诱发的多栅 NMOS 器件转移特性曲线交叉现象，